可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室背馈入式平行板功率电极

    公开(公告)号:CN101187016A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200710150229.3

    申请日:2007-11-19

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室背馈入式平行板功率电极,包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口,其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面,功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电极功率馈入端口位置的优化分布,抑制了电极馈入端口附近电势的对数奇点效应和电势驻波效应,使电场分布均匀性得到较大的改善,因而可以避免由于采用电极边缘功率馈入方式造成的电场分布不均匀问题。本发明解决了大面积电极板电位分布的均匀性问题,为研发大面积VHF-PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础,可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。

    一种周期性结构的绒面透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103515484B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201310416643.X

    申请日:2013-09-13

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种周期性结构的绒面透明导电薄膜,包括玻璃衬底层、起模板作用的第一层ZnO薄膜和起修饰作用的第二层ZnO薄膜并依次形成叠层结构,第一层ZnO薄膜厚度为300-1500nm,第二层ZnO薄膜的厚度为400-1000nm,构成具有散射作用的周期性结构绒面透明导电薄膜;其制备方法:利用水浴方法组装PS微球,用O2等离子刻蚀PS微球,利用PS微球的模板作用,得到具有周期性结构的陷光ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是:制备的ZnO薄膜具有良好的陷光效果,作为前电极用于薄膜太阳电池,对400-1100nm电池所能利用的波长范围内有良好散射作用,可增加入射光在硅基薄膜电池中的光程,提高光利用率。

    一种硅基薄膜太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102916060B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201210435963.5

    申请日:2012-11-05

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 一种硅基薄膜电池太阳电池,以具有种子层结构的n型纳米晶硅氧材料作为背反射电极,n型纳米晶硅氧材料的结构式为nc-SiOx:H,厚度为20-100nm,硅基薄膜太阳电池的类型为p/i/n型单结或多结;该硅基薄膜电池太阳电池的制备方法是:沉积完薄膜电池后,通过等离子处理电池的n型非晶硅层后制备n型nc-Si:H种子层,然后制备n型nc-SiOx:H材料。本发明的优点是:n型nc-Si:H种子层的加入可以提高材料的晶化率和电导率,减小电池串联电阻,降低制备难度;该材料用于硅基薄膜太阳电池背反射电极具有与ZnO相近的背反射效果,不仅提高了电池的入射光利用率,而且可降低硅基薄膜太阳电池制备成本。

    一种用于光伏发电系统的节水装置

    公开(公告)号:CN103981937A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201410220809.5

    申请日:2014-05-23

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种用于光伏电站的节水装置,包括水收集器、输水器、污水处理器和储水器,水收集器为半圆形或方形管道,通过支架固定于太阳电池组件下端;输水器的一端与水收集器密封连接,另一端与污水处理器的进水口密封连接;污水处理器为圆筒型容器或水泥砌成的沉淀池,通过管道与储水器的进水口连接;储水器为圆筒型容器或水泥砌成的储水池,储水器的外壁与内壁之间填充有石棉保温层,侧壁的上方设有进水口及溢水口,下方设有出水口及排水阀。本发明的优点是:该装置装置简单可靠、成本低、易于实施,用于太阳电池组件清洗中水资源可循环利用,且可收集雨水和雪水,最大程度上节约了水资源,可用于新建和已建成太阳能电站上。

    一种用于制备太阳电池的硅片磷铝联合变温吸杂方法

    公开(公告)号:CN103928573A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410169980.8

    申请日:2014-04-25

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/1804 H01L31/186

    Abstract: 一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法,步骤如下:将衬底硅片依次进行去损伤层、超声清洗后,在硅片正反两面先涂覆磷源,再蒸镀铝膜;然后采用氮气气氛保护下热处理依次进行一次吸杂、二次吸杂;冷却至室温后,放入氢氟酸和硝酸的混合液中腐蚀以去除吸杂层即可。本发明的优点是:该吸杂方法在磷铝吸杂基础上引入变温工艺,通过不同温度对吸杂的各个过程实现有效控制,充分利用磷吸杂和铝吸杂各自的优势;工艺简单易于实现,无需增加其他设备;吸杂效果明显,经吸杂处理后,硅片少子寿命有明显提升,同时在满足吸杂效果的前提下减少了工艺周期。

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