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公开(公告)号：CN101697363B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910071050.8
申请日：2009-10-30
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口 层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101697363A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910071050.8
申请日：2009-10-30
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN101562215B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910069034.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
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公开(公告)号：CN101697364B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910071052.7
申请日：2009-10-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，在微晶硅基薄膜太阳电池的制备方法中，在沉积完电池的n层后且下一个电池还没有进入到反应室中时，采用空腔室辉光方式进行反应腔室中含磷区域的处理，然后再沉积新电池的p层材料。本发明的优点和积极效果：本发明在单室内沉积完上一个电池的n层后，在下一个电池进入反应室前，仅采用原位微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池沉积所用的反应气体来进行空腔室辉光的磷污染处理技术，以便降低对随后沉积下一个电池的p层材料特性的影响。这种方法既不增加新的设备改造投资，又不需要引入额外的其它非反应气体，并且可以有效降低磷污染，同时提高电池效率。
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公开(公告)号：CN101562215A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910069034.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
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公开(公告)号：CN101697364A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910071052.7
申请日：2009-10-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，在微晶硅基薄膜太阳电池的制备方法中，在沉积完电池的n层后且下一个电池还没有进入到反应室中时，采用空腔室辉光方式进行反应腔室中含磷区域的处理，然后再沉积新电池的p层材料。本发明的优点和积极效果：本发明在单室内沉积完上一个电池的n层后，在下一个电池进入反应室前，仅采用原位微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池沉积所用的反应气体来进行空腔室辉光的磷污染处理技术，以便降低对随后沉积下一个电池的p层材料特性的影响。这种方法既不增加新的设备改造投资，又不需要引入额外的其它非反应气体，并且可以有效降低磷污染，同时提高电池效率。
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