一种钙钛矿太阳电池
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115498111B

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202211188770.4

    申请日:2022-09-28

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池,包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层;所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化,进而提高太阳电池的稳定性。

    一种同步实现钙钛矿电池能带与界面修饰的方法

    公开(公告)号:CN112510151B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202011410467.5

    申请日:2020-12-04

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种同步实现钙钛矿电池能带与界面修饰的方法,包括选择光学特性、电学特性、及采用磁控溅射法制备的能级匹配的无机氧化物缓冲层材料,并对缓冲层与电子传输层界面之间进行气氛处理。该方法的采用,一方面可以通过合适的材料选择,构成电子传输路径上的能级匹配,从而起到减缓能级势垒,降低载流子复合的效果。另一方面,采用气氛处理,可有效钝化界面缺陷态、减少漏电流,提高吸收层结晶质量。该方法可以在不改变电池整体结构的基础上实现器件能级和界面性质的改善,获得电池器件效率的有效提升。

    一种太阳电池中钙钛矿活性层的制备方法

    公开(公告)号:CN115568263A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211188723.X

    申请日:2022-09-28

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明提供了一种太阳电池中钙钛矿活性层的制备方法,属于太阳电池技术领域。本发明通过在一次反溶剂制备钙钛矿薄膜的过程中引入二次反溶剂,并向二次反溶剂中引入具有钝化钙钛矿效果的钝化材料MAI(甲胺碘),可以预补偿后退火过程有机盐挥发带来的I空位缺陷,然后采用传统表面钝化方法进行钝化处理,可以实现同时使用两种钝化材料来钝化表面缺陷,会进一步降低表面缺陷态密度,从而显著提高电池的开路电压和填充因子,增加电池的光电转换效率,提升器件性能。该方法不仅可以实现钙钛矿活性层的表面钝化效果,还能改善结晶动力学,提升结晶质量。

    一种钙钛矿太阳电池
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115498111A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211188770.4

    申请日:2022-09-28

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池,包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层;所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化,进而提高太阳电池的稳定性。

    一种同步实现钙钛矿电池能带与界面修饰的方法

    公开(公告)号:CN112510151A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202011410467.5

    申请日:2020-12-04

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种同步实现钙钛矿电池能带与界面修饰的方法,包括选择光学特性、电学特性、及采用磁控溅射法制备的能级匹配的无机氧化物缓冲层材料,并对缓冲层与电子传输层界面之间进行气氛处理。该方法的采用,一方面可以通过合适的材料选择,构成电子传输路径上的能级匹配,从而起到减缓能级势垒,降低载流子复合的效果。另一方面,采用气氛处理,可有效钝化界面缺陷态、减少漏电流,提高吸收层结晶质量。该方法可以在不改变电池整体结构的基础上实现器件能级和界面性质的改善,获得电池器件效率的有效提升。

    一种高效的III-V族/硅两端叠层太阳电池

    公开(公告)号:CN114005900A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111359268.0

    申请日:2021-11-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种高效的III‑V族/硅两端叠层太阳电池,采用前表面绒面的晶硅电池为底电池,通过透明导电粘合剂与平面III‑V顶电池构成两端的叠层结构。本发明专利开发了一种基于透明导电粘合剂键合的III‑V族与晶硅的叠层电池技术,采用绒面晶硅电池作为底电池,增加了底电池的长波吸收,解决了晶硅底电池与商业绒面晶硅电池工艺不兼容的难题。即利用含有大粒径导电颗粒的透明导电粘合剂,实现平面的III‑V族顶电池与前表面绒面的晶硅底电池的桥接。且该粘合剂透过率高,纵向导电率高,可以在获得高效叠层电池的同时,为后续III‑V族与晶硅两端叠层电池的商业化应用打开了新空间。

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