公开(公告)号：CN113921620A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111359180.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  李兴亮 ,  李仁杰 ,  周佳凯 ,  张奇星 ,  任宁宇 ,  陈兵兵 ,  许盛之 ,  侯国付 ,  赵颖

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0725

Abstract: 一种折射率渐变特性的减反射膜的制备方法。本发明开发了一种折射率渐变特性的nc‑SiOx:H减反射膜，通过调整反应气体中CO2流量来调整nc‑SiOx:H中Si、O的比例，即x的值(0

公开(公告)号：CN113690327A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202111073966.4

申请日：2021-09-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 侯国付 ,  周佳凯 ,  任慧志 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了一种用于提高晶体硅太阳电池性能的氧化硅/宽带隙多晶硅合金钝化接触结构及其在线连续制备方法。该钝化接触结构包括一层具有钝化功能的超薄隧穿氧化硅层，以及具有场钝化功能的宽带隙多晶硅合金层。其具体制备过程为：1）将完成清洗制绒、前面硼扩散、后面抛光后的样品放入PECVD腔室中，仅仅通入含氧气体，进行等离子体在线氧化制备超薄隧穿氧化硅层；2）通入相应的气体，进行掺杂型非晶硅合金层的沉积；3）将样品放入退火炉中进行退火得到氧化硅/宽带隙多晶硅合金钝化接触结构。本发明公开的氧化硅/宽带隙多晶硅合金钝化接触结构在同一台PECVD设备中在线连续制备完成，避免了暴露大气导致的界面污染，也有利于提高生产效率，进而有利于提高晶硅太阳电池的性能。

公开(公告)号：CN113921620B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202111359180.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  李兴亮 ,  李仁杰 ,  周佳凯 ,  张奇星 ,  任宁宇 ,  陈兵兵 ,  许盛之 ,  侯国付 ,  赵颖

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0725

Abstract: 一种折射率渐变特性的减反射膜的制备方法。本发明开发了一种折射率渐变特性的nc‑SiOx:H减反射膜，通过调整反应气体中CO2流量来调整nc‑SiOx:H中Si、O的比例，即x的值(0