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公开(公告)号：CN108766889A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810522017.1
申请日：2018-05-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种溶液法制备氧化物薄膜晶体管的方法。将Zr(NO3)4·5H2O和In(NO3)3分别溶于乙二醇单甲醚中，得到绝缘层前驱体溶液和有源层前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂绝缘层前驱体溶液，退火处理，得到氧化锆绝缘层薄膜；在氧化锆绝缘层薄膜上旋涂有源层前驱体溶液，退火处理，得到氧化铟有源层薄膜；在氧化铟有源层上蒸镀源/漏电极，得到氧化物薄膜晶体管。本发明通过制备氧化物前驱体溶液，结合旋涂以及退火工艺制备ZrO2和In2O3薄膜，并以这两种薄膜分别作为绝缘层和有源层制备TFT器件，无需真空环境，成本低，操作简便。
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公开(公告)号：CN108389777A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810060622.1
申请日：2018-01-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种溶液法制备氧化锆绝缘层薄膜及叠层结构的方法。将Zr(NO3)4·5H2O溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂所得的前驱体溶液，然后在200℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜。在所得氧化锆绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀圆形Al电极，得到MIM叠层结构。本发明通过Zr(NO3)4·5H2O得到含硝酸基ZrO2绝缘层的前驱体溶液，可以在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，对衬底的耐温要求较低，同时避免传统低温工艺中所需的紫外光处理，降低退火工艺的复杂度。
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公开(公告)号：CN108346703A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810078353.1
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/445
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管的技术领域，公开了一种提高溶液法氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法。方法为：在旋涂制备薄膜晶体管的绝缘层时，将低浓度的金属氧化物绝缘层前驱体溶液进行多次旋涂，每一次旋涂完后进行退火处理，得到金属氧化物绝缘层薄膜，薄膜晶体管以该薄膜作为绝缘层；所述金属氧化物绝缘层前驱体溶液的浓度为0～0.3mol/L且不为0。本发明的方法能够减少薄膜晶体管中绝缘层内部的缺陷，提高薄膜晶体管的偏压稳定性。
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公开(公告)号：CN108010960A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711057219.5
申请日：2017-11-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN111128023B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201911351905.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: G09F9/30
Abstract: 本发明属于柔性显示的技术领域，公开了一种韧性可调的柔性基板结构及其制备方法。所述柔性基板结构由下至上依次包括第二柔性基板、第二导电薄膜、第二绝缘层、电流变液填充体、第一绝缘层、第一导电薄膜、第一柔性基板。本发明还公开了柔性基板结构的制备方法。本发明采用的绝缘层结构，有效减小漏电流，防止通电情况下第一导电层和第二导电层因接触而短路，同时避免电流对电流变液的损伤，有效阻断电流变液对导电层的侵蚀；经过等离子体表面处理，绝缘层的表面浸润特性进行了改善，有利于电流变液填充体粘附于绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111455324B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010315773.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于薄膜材料制备技术领域，公开了一种晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜的制备方法。以氧化锆为靶材，将玻璃基片放置在基板上，将真空腔室抽至2×10‑4～5×10‑4Pa，调整靶材与基板之间的距离，设置脉冲频率为4～6Hz，激光能量为150～350mJ，采用非圆形的激光光斑照射靶材，预沉积1～3min后将脉冲数设置为10000～30000次继续沉积，然后在空气环境中热退火，退火温度为300～400℃，得到晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜。本发明通过激光光斑的形状及基片放置的位置调控薄膜晶型，通过沉积时的脉冲数及靶材‑基板距离等调节厚度，可以实现一次制样得到不同晶型及厚度的氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN108010960B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201711057219.5
申请日：2017-11-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法。所述栅电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜的栅极主体层和ITO薄膜的栅极界面层构成。其制备方法为：在衬底上沉积20～250nm厚度的铜合金薄膜作为栅极主体层；然后在铜合金薄膜上沉积10～50nm厚的ITO薄膜作为栅极界面层。本发明制备的氧化物TFT栅电极具有高结合强度，高电学稳定性，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN109722653B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910001788.0
申请日：2019-01-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，公开了一种溶液法制备钨掺杂氧化锡透明导电薄膜的方法。将钨粉和过氧化氢溶液在冰水浴中充分反应，过滤除杂后用蒸馏水稀释，得到钨酸溶液；将SnCl2·2H2O溶解于无水乙醇溶剂中，搅拌均匀，得到氯化亚锡溶液；向氯化亚锡溶液中滴加钨酸溶液和H2O2溶液，超声振荡处理至溶液为无色澄清透明，静置老化，得到混合液；在清洗干净的玻璃衬底上旋涂所得混合液，退火处理，得到钨掺杂氧化锡透明导电薄膜。本发明采用钨酸掺杂并加入H2O2提高了溶液的稳定性与通透性，使最终固化的薄膜中，W以+6价的WO3形式存在，提升了薄膜的透射性。
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公开(公告)号：CN111697103A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010472764.6
申请日：2020-05-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/103 , G07D7/128
Abstract: 本发明公开了一种用于纸基材料的光电探测器及其溶液法制备；本发明通过溶液法制备了基于SnO2:Si/SnO2:Ga同质结结构的近紫外光探测器。所制备的SnO2:Si薄膜和SnO2:Ga薄膜均对集中在410nm附近的近紫外光表现强烈的吸收效果。当从黑暗环境转到近紫外光照环境时，探测器的电流转变很大，电流提升两个量级，表现出优秀的近紫外敏感性。同时，测试发现，探测器对集中在630nm附近的红光和分布于550nm-700nm的黄光响应微弱，响应电流和紫光照射下的电流相比可以忽略不计，探测器表现出良好的抗干扰性能。在纸基材料的光电探测器(点钞机等)应用上具备优势和潜力。
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公开(公告)号：CN109202061B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811156354.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米球及其制备方法与应用。本发明使用多元醇法制备直径为400‑550nm的银纳米球，其步骤为：将聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇加入反应器中，于140℃加热并搅拌至其完全溶解；向反应器中滴加NaBr乙二醇溶液；搅拌条件下向反应器中滴加AgNO3乙二醇溶液；然后在140℃及搅拌条件下继续反应90min，完成反应后离心分离产物，制得银纳米球。本发明能够在较短时间内制备出形貌均匀的银纳米球，成本低廉，工艺简单，可作为光电材料用于高灵敏度检测传感器件与太阳能电池中。
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