公开(公告)号：CN110543056A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910795071.8

申请日：2019-08-27

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  史沐杨 ,  宁洪龙 ,  李志航 ,  周尚雄 ,  袁炜键 ,  黎群杰 ,  邱斌 ,  张观广 ,  彭俊彪

IPC: G02F1/1524 ,  G02F1/1523

Abstract: 本发明公开了一种无机全固态电致变色器件及其制备方法；属于光电器件领域。本发明通过溶液法，以氧化镍为原料低温制备了氧化镍离子存储层，再制备氧化锆作为离子导电层，然后通过外加电场，将电解液中的氢离子注入离子存储层中，从而得到包含离子的叠层结构，使得原本不含自由移动工作离子的氧化锆能够作为离子导电层使用。然后在之上旋涂氧化钨电致变色薄膜以及透明电极，从而构成无机全固态电致变色器件。

公开(公告)号：CN110543056B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910795071.8

申请日：2019-08-27

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  史沐杨 ,  宁洪龙 ,  李志航 ,  周尚雄 ,  袁炜键 ,  黎群杰 ,  邱斌 ,  张观广 ,  彭俊彪

IPC: G02F1/1524 ,  G02F1/1523

Abstract: 本发明公开了一种无机全固态电致变色器件及其制备方法；属于光电器件领域。本发明通过溶液法，以氧化镍为原料低温制备了氧化镍离子存储层，再制备氧化锆作为离子导电层，然后通过外加电场，将电解液中的氢离子注入离子存储层中，从而得到包含离子的叠层结构，使得原本不含自由移动工作离子的氧化锆能够作为离子导电层使用。然后在之上旋涂氧化钨电致变色薄膜以及透明电极，从而构成无机全固态电致变色器件。

公开(公告)号：CN111455324A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010315773.4

申请日：2020-04-21

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  黎群杰 ,  宁洪龙 ,  邱斌 ,  符晓 ,  陈俊龙 ,  张观广 ,  袁炜键 ,  周尚雄 ,  彭俊彪

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于薄膜材料制备技术领域，公开了一种晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜的制备方法。以氧化锆为靶材，将玻璃基片放置在基板上，将真空腔室抽至2×10-4～5×10-4Pa，调整靶材与基板之间的距离，设置脉冲频率为4～6Hz，激光能量为150～350mJ，采用非圆形的激光光斑照射靶材，预沉积1～3min后将脉冲数设置为10000～30000次继续沉积，然后在空气环境中热退火，退火温度为300～400℃，得到晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜。本发明通过激光光斑的形状及基片放置的位置调控薄膜晶型，通过沉积时的脉冲数及靶材-基板距离等调节厚度，可以实现一次制样得到不同晶型及厚度的氧化锆薄膜。

公开(公告)号：CN111455324B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010315773.4

申请日：2020-04-21

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  黎群杰 ,  宁洪龙 ,  邱斌 ,  符晓 ,  陈俊龙 ,  张观广 ,  袁炜键 ,  周尚雄 ,  彭俊彪

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于薄膜材料制备技术领域，公开了一种晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜的制备方法。以氧化锆为靶材，将玻璃基片放置在基板上，将真空腔室抽至2×10‑4～5×10‑4Pa，调整靶材与基板之间的距离，设置脉冲频率为4～6Hz，激光能量为150～350mJ，采用非圆形的激光光斑照射靶材，预沉积1～3min后将脉冲数设置为10000～30000次继续沉积，然后在空气环境中热退火，退火温度为300～400℃，得到晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜。本发明通过激光光斑的形状及基片放置的位置调控薄膜晶型，通过沉积时的脉冲数及靶材‑基板距离等调节厚度，可以实现一次制样得到不同晶型及厚度的氧化锆薄膜。

公开(公告)号：CN111415870A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010303112.X

申请日：2020-04-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  张旭 ,  姚日晖 ,  卢宽宽 ,  朱镇南 ,  陈俊龙 ,  符晓 ,  周尚雄 ,  袁炜键 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明属于印刷电子技术领域，公开了一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法。将金属前驱体溶于醇类溶剂形成前驱体溶液，然后加入H2O2溶液，搅拌混合均匀后静置老化，过滤去除不溶物，超声除泡后旋涂至预处理后的基板上，退火处理，得到有源层；在有源层上制备源漏电极，得到金属氧化物TFT器件。本发明通过加入H2O2，可以解决当前溶液法制备金属氧化物TFT普遍存在的关态电流过大的问题，降低器件功耗。并可以提高薄膜的致密性，提高有源层和其它功能层的接触特性，提高TFT器件性能。

公开(公告)号：CN109411542A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811048754.9

申请日：2018-09-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  袁炜键 ,  张啸尘 ,  邓宇熹 ,  周尚雄 ,  李志航 ,  史沐杨 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明属于显示器器件领域，具体涉及一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极，并利用湿法刻蚀进行图形化；(5)将器件进行空气常压退火，退火温度为350℃；(6)在沟道上方制备钝化层。一般制备完器件后，沟道区域含有残留物，会导致器件电学性能恶化，但经过350℃前退火，可以消除沟道区的残留物，提高器件性能。因此，制备小型化器件时，由于当沟道尺寸很小时沟道区的残留物很难去除，需要经过350℃前退火消除沟道区的残留物，从而提高器件性能。