公开(公告)号：CN102664144B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210156456.8

申请日：2012-05-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  林猛 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C23C22/58 ,  C23G1/10 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一层稳定的钝化层，为之后在清洗钝化过的锗基衬底表面上淀积high-K（高介电常数）栅介质做好准备，提高栅介质层与衬底之间的界面质量，改善锗基MOS器件的电学性能。

公开(公告)号：CN104124275A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410356251.3

申请日：2014-07-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  刘静静 ,  陈叶华 ,  张曜 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括：衬底；在衬底上的浅槽隔离区；在衬底上且被STI区包围的有源区；栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线，栅的两端分别过覆盖STI区；以及覆盖在栅介质上的栅电极材料。本发明在保证较大沟道宽度、较小有源区面积、源漏完全对称的同时，可以有效的减少辐照引起的位于源漏之间的泄漏通道的数目，有效提高器件的抗总剂量辐射、抗微剂量辐射的能力。

公开(公告)号：CN102655112B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210115455.9

申请日：2012-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李敏 ,  黄如 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/32 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/763

Abstract: 本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。

公开(公告)号：CN103887241A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。

公开(公告)号：CN102881562A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210383308.X

申请日：2012-10-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  林猛 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底的表面钝化方法，属于半导体器件表面钝化方法。该方法包括：1）对半导体锗衬底表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗片进行等离子体浴处理；4）淀积栅介质，进行后续工艺以制备MOS电容或器件。本发明利用等离子体浴的办法，使多键原子和锗表面原子悬挂键结合，而不生成含锗的界面层。从而既钝化了表面悬挂键从而降低界面态，又利用该多键原子与锗表面相邻的锗原子的多键连接，降低锗表面原子脱离锗衬底表面而扩散的几率，达到加固锗表面原子和有效抑制表面锗原子的外扩散效果；同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。

公开(公告)号：CN102655112A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210115455.9

申请日：2012-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李敏 ,  黄如 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/32 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/763

Abstract: 本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。

公开(公告)号：CN102623505A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210096469.0

申请日：2012-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  罗长宝 ,  安霞 ,  张兴 ,  杨东 ,  刘长泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直双栅的抗辐照晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域。该器件包括凸形沟道、源、漏、底栅和顶栅，凸形沟道左右两边延伸到源端，凸形沟道凸起的部分连接漏。本发明由于单粒子垂直漏端入射的时候只经过沟道的垂直部分，不经过凸形沟道左右延伸部分，沟道左右延伸部分得到保护，重粒子辐照后沟道受影响的范围比较小，因而抗单粒子性能得到改善。且本发明提出了漏端位于沟道的凸起上，漏端与STI区完全隔开，STI区陷入的电荷无法在源漏间形成泄漏通道，因而具有很好的抗总剂量特性。

公开(公告)号：CN101866859B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010219177.2

申请日：2010-07-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明涉及CMOS超大集成电路，是一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管。本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间，插入形变介质层，利用直接与衬底接触的形变介质层，诱使沟道发生应变，用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为，利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变，可用于提升沟道电子迁移率；利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变，可用于提升沟道空穴迁移率。本发明既可以保证沟道应力引入的有效性，同时又从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件短沟效应抑制能力。

公开(公告)号：CN101924139B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010219179.1

申请日：2010-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  艾玉杰 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849

Abstract: 本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极，其特征在于，所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层，包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部，该复合隔离层又分为两层，即与衬底直接接触的“L”形绝缘薄层和与源漏直接接触的“L”形高应力层。该结构的场效应晶体管通过高应力层在沟道中引入应力，提高了载流子的迁移率，同时从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件的短沟效应抑制能力。

公开(公告)号：CN102386186A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110359705.9

申请日：2011-11-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭斐 ,  安霞 ,  黄芊芊 ,  杨东 ,  张兴

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在源区和漏区的正下方设置重掺杂的抑制电荷收集区，该区域的掺杂类型和源区和漏区的掺杂类型相反，且掺杂浓度不小于源区和漏区的掺杂浓度。抑制电荷收集区的横向范围略小于或者等于源区和漏区的横向范围，且向沟道的横向位置不超过源区和漏区的边缘。本发明的CMOS器件可以大大减小单粒子作用下出现的“漏斗”范围，使在电场作用下瞬时收集的电荷减小。由于耗尽层宽度变窄，在“漏斗”范围内的电子空穴对扩散至耗尽层边缘更加困难，因此敏感节点收集的电荷会大大降低，有效抑制单粒子瞬态对集成电路造成的影响。