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公开(公告)号：CN107085178A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710104221.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 于春青 , 蔡一茂 , 范隆 , 郑宏超 , 陈茂鑫 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 王煌伟 , 杜守刚 , 李哲 , 毕潇 , 姜柯 , 赵旭 , 穆里隆 , 关龙舟 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 喻贤坤 , 庄伟 , 刘亚丽 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/311 , G01J11/00
Abstract: 一种获取器件功能模块单粒子本征错误截面的方法，首先对器件功能模块进行划分，然后直接利用脉冲激光试验获取结构规则功能模块的本征错误截面，编制测试程序，获取每种测试程序下器件的应用错误截面以及各个功能模块的占空因子，根据各种测试程序下器件的应用错误截面公式进行方程组联立求解，得到各个结构不规则功能模块的本征错误截面。本发明方法能够获取集成电路中所有功能模块的本征错误截面，以直观反应每个功能模块的单粒子敏感性。
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公开(公告)号：CN120017014A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411892756.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种应用于绝缘体上硅工艺的内置滤波抗单粒子翻转触发器结构，包括第一级堆叠时钟控制电路、第一级锁存反相器、第一级复制反相器、延迟电路、第一级数据信号堆叠电路、第二级堆叠时钟控制电路、第二级锁存反相器、第二级复制反相器、第二级数据信号堆叠电路和输出反相器电路。堆叠时钟控制电路用于控制主从锁存器的工作状态并保证自身受到单粒子轰击后数据正确；锁存反相器用于实现数据的传输和锁存；复制反相器用于提供冗余信号；延迟电路用于用延迟信号实现SET脉冲的过滤；数据信号堆叠电路用于实现数据锁存，并保证锁存器受到单粒子轰击后数据正确。本发明有效降低单粒子软错误问题，基于绝缘体上硅工艺特征开发，有效降低加固开销，易实现。
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公开(公告)号：CN114582862B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210221722.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN119298882A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411202445.8
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗双节点翻转加固的锁存器电路结构，反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKNN以及输出Q；延时电路用于延时瞬态脉冲；C单元结构用于滤波；时钟控制输入结构用于控制信号在锁存器中的传播；锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态；时钟控制C单元结构用于滤波以及控制锁存器电路的输出信号。本发明设计的电路结构，针对双节点翻转加固效果好，敏感节点少，电路设计简单，易实现。
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公开(公告)号：CN119298881A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410973826.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种FinFET工艺的冗余反馈锁存多层次抗单粒子加固触发器，包括数据输入结构、时钟输入结构、四个时钟控制结构，延时结构、数据主锁存结构、数据从锁存结构和数据输出结构，触发器对数据主锁存结构和数据从锁存结构均使用冗余反馈电路锁存数据，并使用延时结构对一路数据进行延时以滤除数据端的外来单粒子瞬态脉冲，通过冗余反馈锁存结构和延时单元实现了电路对单粒子单位/多位翻转、单粒子瞬态的多维度加固，显著提高了触发器的抗单粒子辐射加固能力；此外本发明优选采用电路和版图结合的设计加固方法，对单位栅极间距内的Fin设计为最大数量，并对敏感节点处器件使用叉指结构，同时将敏感节点对隔离布局，进一步增强抗单粒子多位翻转能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118763124A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410738118.8
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L23/552
Abstract: 一种抗辐射加固的SiC超结JFET结构及制备方法，从下至上依次为：漏极金属化层、N+衬底层、N缓冲层、P柱区、N柱区、P‑base区、电流扩展区、N+源区、P+栅区、隔离介质层、栅极金属化层、源极金属化层。P柱区与N柱区交替排列于N缓冲层上表面，P柱区左右对称设置，N柱区设置在两个P柱区之间。P柱区、P‑base区两者组成一个P型掺杂区整体，并与源极金属化层连接。P+栅区与P‑base区之间形成导电沟道结构，通过控制P+栅区上的电压实现沟道的开通和关断。本发明有效解决了器件内部由高能带电粒子轰击导致的电场集中问题，降低了局部高温，极大提高了SiC JFET的抗单粒子辐射能力。
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公开(公告)号：CN114974388B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN112036110B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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公开(公告)号：CN117420588A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311211379.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01T1/02
Abstract: 一种基于棋盘格的电子总剂量试验方法，能够较为有效的测算样品的实际吸收剂量，实现对试验样品抗电子总剂量能力的预估。具体包括：(1)分析试验样品的材料成分，选择合适的电子能量进行试验；(2)通过电子能量计算电子的质量阻止本领LET值，并获取理论总注量；(3)测量电子束流的均匀性，确保试验区域的均匀性误差小于5％；(4)保证样品材料的尺寸小于2cm×2cm，将试验样品和剂量片进行棋盘格摆放，并使两者的间距尽可能小；(5)开始电子辐照试验，确保电子总注量达到预设值；(6)试验结束后，对所有的剂量片进行测量，获取剂量片的实际总剂量，并预估样品区域的总剂量值。
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公开(公告)号：CN114785323B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210345659.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的掉电数据保持触发器电路，包括：主锁存器电路，用于根据接收到的输入数据信号D和互补时钟信号，输出两路数据信号D_SAVE_1/2；具备掉电贮存功能的从锁存器电路，用于根据接收到的两路数据信号D_SAVE_1/2、互补时钟信号和互补贮存信号，输出两路输出数据信号OUTPUT1/2；输出驱动级缓冲器，用于根据接收到的OUTPUT1或OUTPUT2，生成总输出信号Q；第一反相器，用于输出反相时钟信号CKN；第二反相器，用于输出反相贮存使能信号SAVEN。本发明降低了因单粒子翻转效应造成的电路正常工作和掉电保持状态下存储的数据和状态发生错误的概率，实现掉电数据保持触发器电路在低功耗宇航集成电路中的应用。
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