公开(公告)号：CN108702141A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780006333.7

申请日：2017-01-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  丹野雅行

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H3/08 ,  H01L21/86 ,  H01L41/312 ,  H01L41/337 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02834 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种在压电材料层和支承基板的贴合中能够得到充分的接合强度的复合基板及复合基板的制造方法。本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。

公开(公告)号：CN108140541A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680052889.5

申请日：2016-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  CUSIC股份有限公司

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  长泽弘幸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在表面和背面具有氧化硅膜21a的由Si构成的保持基板21的表面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，将该单晶SiC层负载体14中的保持基板21的背面的部分区域或整面的氧化硅膜21a的厚度的一部分或全部除去，对单晶SiC层负载体14'赋予翘曲，接下来在单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而形成多晶SiC基板11，然后将上述保持基板21以物理和/或化学方式除去。根据本发明，采用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。

公开(公告)号：CN104272432B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201380024083.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。

公开(公告)号：CN107004573A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066099.8

申请日：2015-10-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02527 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/50 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/7602 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: [课题]提供一种复合基板，借以能够以低成本制作无缺陷的纳米碳膜。[解决手段]公开了一种复合基板的制造方法，在所述方法中，从单晶碳化硅基板的表面注入离子，形成离子注入区域；将所述单晶碳化硅基板的离子注入面和操作基板的主面贴合，然后在所述离子注入区域将所述单晶碳化硅基板剥离，将单晶碳化硅薄膜转印到所述操作基板，其中所述单晶碳化硅基板的待贴合面和所述操作基板的待贴合面各自具有表面粗糙度RMS为1.00nm以下。

公开(公告)号：CN103676460B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310394876.4

申请日：2013-09-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 山田素行 ,  秋山昌次

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/142 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64

Abstract: 提供一种在减轻入射EUV光的减少的同时，有具有高强度的EUV用防尘薄膜组件。本发明为一种具有用网格形状的结构体加固的EUV透过膜的EUV用防尘薄膜组件，其特征在于∶所述网格形状的结构体的纵截面形状（高度方向截面形状）为越远离EUV透过膜，前端越细的形状。

公开(公告)号：CN103890907B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280050683.0

申请日：2012-10-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76256

Abstract: 提供一种能够防止片损坏和剥落的生产透明SOI片的方法。所述用于生产透明SOI片方法包括以下步骤：将用作供体片的硅片的表面与透明的处理片的表面键合在一起以获得键合片；在150至300℃的第一温度对键合片进行热处理，作为第一热处理；通过从被热处理后的键合片的硅片侧向键合的表面和未键合的周围表面之间的边界照射可见光激光，同时在入射光和硅片的径向方向之间保持60至90°的角度来切割键合片的未键合部分；对未键合的部分被切割后的键合片的硅片进行研磨、抛光或蚀刻以形成硅膜；以及在比第一温度高的300至500℃的第二温度对形成有硅膜的键合片进行热处理，作为第二热处理。

公开(公告)号：CN102822744B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180017361.1

申请日：2011-03-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明提供了一种适宜于使用EUV曝光技术，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的光刻用光掩模，以提供能确实地防止光掩模的平坦度发生恶化的光掩模单元为目的。本发明的光掩模单元1为：防尘薄膜6、在其一个表面粘贴有防尘薄膜6的侧部近旁区域的防尘薄膜组件框架7、光掩模2、其一个表面固定有光掩模2及防尘薄膜组件框架7的台子3，防尘薄膜组件框架7在比固定有光掩模2的台子3的范围还要靠外的侧被固定于台子3上。

公开(公告)号：CN104272432A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024083.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。

公开(公告)号：CN102822744A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180017361.1

申请日：2011-03-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明提供了一种适宜于使用EUV曝光技术，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的光刻用光掩模，以提供能确实地防止光掩模的平坦度发生恶化的光掩模单元为目的。本发明的光掩模单元1为：防尘薄膜6、在其一个表面粘贴有防尘薄膜6的侧部近旁区域的防尘薄膜组件框架7、光掩模2、其一个表面固定有光掩模2及防尘薄膜组件框架7的台子3，防尘薄膜组件框架7在比固定有光掩模2的台子3的范围还要靠外的侧被固定于台子3上。

公开(公告)号：CN101286443B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810088668.0

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。