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公开(公告)号：CN105190835B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480024384.9
申请日：2014-04-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。
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公开(公告)号：CN101286443B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810088668.0
申请日：2008-04-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76254 , C23C14/48
Abstract: 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。
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公开(公告)号：CN101256934B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810005732.4
申请日：2008-02-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge外延膜生长。在Ge外延膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge外延膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge外延膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。
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公开(公告)号：CN101207009B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710161139.4
申请日：2007-12-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN101549950B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200910135258.1
申请日：2001-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B37/018 , C03B35/26 , C03B8/04
CPC classification number: C03B37/0142 , C03B37/01202 , C03B37/01406 , C03B37/01486 , C03B2207/36 , C03B2207/52 , C03B2207/66 , C03B2207/70
Abstract: 本发明有关于光纤原材料的玻璃母材制造装置，沿玻璃母材的出发母材的长轴方向，在对出发母材全体长度的一部分区间，以往返而在出发母材堆积玻璃微粒子以形成玻璃母材的母材堆积体；并且本装置包括沿出发母材的长轴方向，以一定间隔配成一列的多个喷燃器，和多个各喷燃器至少连接一个调节供给喷燃器的玻璃微粒子原料瓦斯流量的流量调节器，以及连接多个各流量调节器，以个别控制多个各流量调节器的控制部等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100497220C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN01813271.5
申请日：2001-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B8/04 , C03B37/018 , C03B35/26
CPC classification number: C03B37/0142 , C03B37/01202 , C03B37/01406 , C03B37/01486 , C03B2207/36 , C03B2207/52 , C03B2207/66 , C03B2207/70
Abstract: 本发明有关于光纤原材料的玻璃母材制造装置，沿玻璃母材的出发母材的长轴方向，在对出发母材全体长度的一部分区间，以往返而在出发母材堆积玻璃微粒子以形成玻璃母材的母材堆积体；并且本装置包括沿出发母材的长轴方向，以一定间隔配成一列的多个喷燃器，和多个各喷燃器至少连接一个调节供给喷燃器的玻璃微粒子原料瓦斯流量的流量调节器，以及连接多个各流量调节器，以个别控制多个各流量调节器的控制部等。
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公开(公告)号：CN101120231A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200580048284.0
申请日：2005-12-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G01B11/105 , G02B6/02285
Abstract: 本发明公开一种光纤母材(1)的纤芯部非圆率测量方法，其包括：从垂直于纤芯部中心轴的方向，一边向浸泡在匹配油(3)中的光纤母材(1)照射光线，一边使光纤母材(1)向平行于中心轴的方向移动，对光线中透过纤芯部的透过光线的宽度变化连同光纤母材(1)的移动量的关系进行记录，获得光纤母材(1)有关长度方向的纤芯部的相对外径值分布的相对外径值分布测量步骤；每当绕着中心轴，使光纤母材(1)旋转至规定的旋转角度时，执行相对外径值分布测量步骤，并记录多个相应于旋转角度的相对外径值分布的相对外径值分布积累步骤；根据在相对外径值分布积累步骤中积累的多个相对外径值分布，计算出多个对于光纤母材(1)长度方向的纤芯部的多个非圆率的非圆率计算步骤。
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公开(公告)号：CN1934039A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009250.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/018
CPC classification number: C03B23/045 , C03B37/0126 , C03B37/01486 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种玻璃母材的加工方法及加工装置，可使大型的玻璃母材芯不偏离地且容易地进行焊接加工及端部的纺锤形加工，且无落下事故可安心地操作。本发明是使用加工装置对玻璃母材(1)进行加工的方法，上述加工装置包括直接或间接地把持玻璃母材(1)的轴方向两端部、且可在所相向的方向相对移动的一对旋转自如的夹盘(3a)、(3b)，及可沿着所把持的玻璃母材(1)的轴方向移动的玻璃母材加热用的燃烧器(1)，且玻璃母材的加工方法的特征在于总是以两点或两点以上保持或支持玻璃母材(1)，一边防止悬臂一边进行加工；且加工装置中设置有至少一个保持或支持玻璃母材(1)的中间部的中间把持装置(8a)、(8b)。
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公开(公告)号：CN1444546A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN01813271.5
申请日：2001-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B8/04 , C03B37/018 , C03B35/26
CPC classification number: C03B37/0142 , C03B37/01202 , C03B37/01406 , C03B37/01486 , C03B2207/36 , C03B2207/52 , C03B2207/66 , C03B2207/70
Abstract: 本发明有关于光纤原材料的玻璃母材制造装置，沿玻璃母材的出发母材的长轴方向，在对出发母材全体长度的一部分区间，以往返而在出发母材堆积玻璃微粒子以形成玻璃母材的母材堆积体；并且本装置包括沿出发母材的长轴方向，以一定间隔配成一列的多个喷燃器，和多个各喷燃器至少连接一个调节供给喷燃器的玻璃微粒子原料瓦斯流量的流量调节器，以及连接多个各流量调节器，以个别控制多个各流量调节器的控制部等。
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公开(公告)号：CN105190835A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480024384.9
申请日：2014-04-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/02164 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L27/1207 , H01L29/0649
Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。
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