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公开(公告)号：CN113677835A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080025638.4
申请日：2020-03-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/455 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的III族氮化物基板的制造装置具备：在反应容器(1)内保持晶种(2)并旋转的自转基座(3)，对晶种(2)进行加热的加热工具(9)，配置收纳自转基座(2)并旋转的公转基座(4)，相对于公转基座(4)的旋转轴的轴方向以规定的倾斜度喷出III族元素的氯化物气体的第一气体喷出口(6)、喷出含氮气体的第二气体喷出口(7)以及从第一气体喷出口(6)和第二气体喷出口(7)之间喷出惰性气体的第三气体喷出口(8)，和排出气体的排气工具(5)。根据本发明，可提供可得到均匀且良好的III族氮化物结晶基板的制造装置和制造方法。
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公开(公告)号：CN112585305A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980052719.0
申请日：2019-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/02 , C23C16/34 , C30B33/06 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 将偏角0.5～5度的C面蓝宝石薄膜(1t)转印至由800K下的热膨胀率比硅大、比C面蓝宝石小的陶瓷材料构成的操作基板上，从而制作GaN外延生长用基板(11)；进行GaN外延生长用基板(11)的高温氮化处理而将C面蓝宝石薄膜(1t)表面用由AlN构成的表面处理层(11a)被覆；使GaN在该表面处理层(11a)上外延生长，制作表面由N极性面构成的GaN膜负载体；对GaN膜(13)进行离子注入；将经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支撑基板(12)贴合以接合；在GaN膜(13)中的离子注入区域(13ion)进行剥离而将GaN薄膜(13a)转印至支撑基板(12)上，得到在支撑基板(12)上具有表面由Ga极性面构成的结晶性和平坦性良好的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)。
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公开(公告)号：CN109698266A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811245902.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/22 , H01L41/18 , H01L41/187 , C04B37/00 , C30B29/30 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02
Abstract: 钽酸锂单晶体衬底是具有36°Y-49°Y切向的晶体取向的旋转Y切向LiTaO3单晶体衬底，其特征在于：所述衬底从其表面向其一定深度中用Li扩散，使得所述衬底具有展示出在所述衬底表面与所述衬底的所述深度之间的Li浓度差异的Li浓度分布；并且所述衬底以单偏振处理进行处理，因此所述Li浓度从所述衬底表面到相当于在LiTaO3衬底表面中传播的表面声波或泄漏表面声波的波长的5-15倍的深度是大致上一致的。
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公开(公告)号：CN115516760A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033640.0
申请日：2021-04-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 永田和寿
IPC: H03H3/08 , H01L41/187 , H01L41/31
Abstract: 本申请提供了设置有压电单晶膜的复合基底的制造方法，所述压电单晶膜具有良好的膜厚均匀性且不会由于离子注入而受到性能劣化的影响。制造设置有压电单晶膜11的复合基底10的方法包括：步骤(a)使包含钽酸锂或铌酸锂的压电单晶基底1进行离子注入以形成离子注入层11，步骤(c)将压电单晶基底1的其上形成了离子注入层11的表面粘合到临时粘合基底2，步骤(d)将压电单晶基底1分离成离子注入层11和压电单晶基底1的剩余部分，并且在临时粘合基底2上形成压电单晶膜11，步骤(f)将支撑基底3粘合到压电单晶膜11的与临时粘合基底的粘合表面相对的表面上，以及步骤(g)将临时粘合基底与压电单晶膜11分离。
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公开(公告)号：CN113840949A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080039330.5
申请日：2020-05-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明的III族化合物基板的制造方法，其特征在于：其是通过气相生长法使III族化合物的晶体(1)在载置并固定于基座(2)的晶种(3)上生长的III族化合物基板的制造方法，在基座(2)和晶种(3)的至少一者的构件中使用可剥离的具有劈开性的物质。III族化合物基板，其特征在于：其是通过本发明的III族化合物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供III族化合物基板的制造方法和通过该制造方法制造的基板，该制造方法可有效利用气相生长法的特长、即高成膜速度的特长，同时以低成本得到更高品质的大型GaN晶体基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104488081B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201380039471.7
申请日：2013-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/86 , H01L29/78657
Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。
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公开(公告)号：CN114901876B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202080092360.2
申请日：2020-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的III族氮化物基板的制造方法包括以下工序：在基板的两面形成表面为III族元素面的III族氮化物膜，制作III族氮化物膜担载体；对III族氮化物膜担载体的III族氮化物膜进行离子注入，在III族氮化物膜上形成离子注入区；将已进行离子注入的III族氮化物膜与主要成分为III族氮化物的多晶基底基板贴合，将III族氮化物膜担载体接合于基底基板；使III族氮化物膜担载体从基底基板上分离，将离子注入区转印至基底基板，在基底基板上形成表面为N面的III族氮化物膜；以及利用THVPE法在基底基板的表面为N面的III族氮化物膜上形成III族氮化物膜，制作III族氮化物膜的厚膜。本发明的III族氮化物基板是利用本发明的III族氮化物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供：可制造大口径和高品质的III族氮化物基板的III族氮化物基板的制造方法；以及利用该制造方法制造的III族氮化物基板。
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公开(公告)号：CN112585305B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201980052719.0
申请日：2019-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/02 , C23C16/34 , C30B33/06 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 将偏角0.5～5度的C面蓝宝石薄膜(1t)转印至由800K下的热膨胀率比硅大、比C面蓝宝石小的陶瓷材料构成的操作基板上，从而制作GaN外延生长用基板(11)；进行GaN外延生长用基板(11)的高温氮化处理而将C面蓝宝石薄膜(1t)表面用由AlN构成的表面处理层(11a)被覆；使GaN在该表面处理层(11a)上外延生长，制作表面由N极性面构成的GaN膜负载体；对GaN膜(13)进行离子注入；将经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支撑基板(12)贴合以接合；在GaN膜(13)中的离子注入区域(13ion)进行剥离而将GaN薄膜(13a)转印至支撑基板(12)上，得到在支撑基板(12)上具有表面由Ga极性面构成的结晶性和平坦性良好的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)。
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公开(公告)号：CN115461502A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180034073.0
申请日：2021-05-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的III‑V族化合物晶体用基底基板(1)具备：陶瓷芯层(2)、封入陶瓷芯层(2)的杂质封入层(3)、杂质封入层上的接合层(4)和接合层上的加工层(5)，杂质封入层(3)是以SiOxNy(这里，x=0～2、y=0～1.5、x+y>0)的组成式表示的组合物的层，接合层(4)是以SiOx’Ny’(这里，x’=1～2、y’=0～2)的组成式表示的组合物的层，加工层(5)是籽晶层。根据本发明，可提供用于得到大口径和高品质的III‑V族化合物晶体的III‑V族化合物晶体用基底基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114144864A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080053287.8
申请日：2020-06-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的III族化合物基板的制造方法包括以下工序：基底基板形成工序，通过气相合成法形成III族氮化物的基底基板；种基板形成工序，在基底基板上形成种基板；以及III族化合物晶体形成工序，通过氢化物气相生长法在种基板上形成III族化合物晶体。本发明的III族化合物基板的特征在于：其是通过本发明的III族化合物基板的制造方法制造的。根据本发明，在发挥氢化物气相生长法的特长、即高成膜速度的特长的同时，以低成本得到更大型且高品质的III族化合物基板。
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