公开(公告)号：CN112262456B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201980038692.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 关山有郎 ,  久保田芳宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H10D86/60

Abstract: 本发明为GaN层叠基板的制造方法，其具有：进行偏离角度0.5～5度的C面蓝宝石基板(11)的800～1000℃下的高温氮化处理以对所述C面蓝宝石基板进行表面处理的工序；在所述表面处理过的C面蓝宝石基板(11)的表面上使GaN外延生长以制作表面包含N极性面的GaN膜负载体的工序；对所述GaN膜(13)进行离子注入以形成离子注入区域(13离子)的工序；将所述经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支承基板(12)贴合并接合的工序；和在所述GaN膜(13)中的离子注入区域(13离子)使其剥离以将GaN薄膜(13a)在支承基板(12)上转印、得到在支承基板(12)上具有表面包含Ga极性面的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)的工序，通过一次的转印工艺就得到以Ga面为表面的结晶性良好的GaN层叠基板。

公开(公告)号：CN118159693A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072193.4

申请日：2022-06-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  小西繁 ,  茂木弘 ,  樋口浩一

IPC: C30B25/18 ,  C04B35/581 ,  C04B41/87 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明涉及可得到晶体缺陷少、高品质且廉价的AlN、AlxGa1‑xN(0 单晶的表层0.1～1.5μm进行薄膜转印的方式而设置。

公开(公告)号：CN110892506B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201880046539.7

申请日：2018-07-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  小西繁

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种具有高热导率、高散热性并且在高频损耗小的器件基板，以及该器件基板的制造方法。本发明的器件基板1可以通过以下方法制造：使用临时贴合粘合剂31将SOI器件基板10的Si器件层侧临时贴合到支撑基板20，该SOI器件基板包括Si基础基板11、形成在Si基础基板上的具有高热导率且为电绝缘体的Box层12、和形成在Box层上的Si器件层13；去除临时贴合的SOI器件基板的Si基础基板11，直到露出Box层，从而获得减薄的器件晶片10a；使用耐热温度至少150℃的转移粘合剂32，通过施加热量和压力，将减薄的器件晶片的Box层侧与转移基板40彼此转移贴合，该转移基板具有高热导率并且是电绝缘体；以及分离支撑基板20。

公开(公告)号：CN117015840A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280014723.X

申请日：2022-01-26

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  曲伟峰 ,  久保田芳宏 ,  永田和寿

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，该氮化物半导体基板具备：耐热性支撑基板，其以密封层封入有由氮化物陶瓷形成的芯部；平坦化层，其设置于该耐热性支撑基板上；单晶硅层，其设置于该平坦化层上且碳浓度为1×1017个原子/cm3以上；碳化层，其以碳化硅为主成分、设置于该单晶硅层上且厚度为4～2000nm；及氮化物半导体层，其设置于该碳化层上。由此，提供高质量的氮化物半导体基板(尤其是适合于高频开关、功率放大器、功率切换器件用的GaN系高电子迁移率晶体管(HEMT)的氮化物半导体基板)及其制造方法。

公开(公告)号：CN116249803A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180066639.8

申请日：2021-08-26

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 山田雅人 ,  石崎顺也 ,  土屋庆太郎 ,  久保田芳宏 ,  川原实

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5

公开(公告)号：CN115698391A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180041183.X

申请日：2021-04-12

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  川原实 ,  山田雅人

IPC: C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C16/34

Abstract: 提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及晶种层，其设置在平坦化层的上表面，具有0.1μm以上且1.5μm以下的厚度，且由III族氮化物的单晶形成。

公开(公告)号：CN108138358B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201680052879.1

申请日：2016-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  CUSIC股份有限公司

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  长泽弘幸

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/01 ,  C23C16/42 ,  C30B25/18 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。

公开(公告)号：CN107108218A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070163.X

申请日：2015-12-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  小西繁 ,  茂木弘

IPC: C01B32/15 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  C01B32/956 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  C01B32/05 ,  C01B32/184 ,  C01B32/956 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供复合基板，其具有：厚度1μm以下的单晶碳化硅薄膜11；支承该单晶碳化硅薄膜11的由耐热温度1100℃以上的耐热材料(其中，不包括单晶碳化硅)制成的操作基板12；和在上述单晶碳化硅薄膜11与操作基板12之间设置的、由选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化锆、硅和碳化硅中的至少1种的材料、或者选自Ti、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zr、Mo、Ta和W中的至少1种的金属材料制成的厚度为1μm以下的中介层13。本发明的复合基板可以廉价地制作缺陷少的纳米碳膜。

公开(公告)号：CN105190835A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024384.9

申请日：2014-04-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649

Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

公开(公告)号：CN104488081A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039471.7

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86 ,  H01L29/78657

Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。