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公开(公告)号：CN108138358B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680052879.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN110366611B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201880014716.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: C30B29/36 , H01L21/205
Abstract: 本发明为碳化硅基板的制造方法，具有：准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板1a的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层1b、1b并使该被覆层1b、1b表面成为平滑面的支承基板1的工序；在所述支承基板1的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜10的工序；将所述支承基板1中至少被覆层1b、1b以化学方式除去，在使被覆层1b、1b表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板1分离，作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板10a、10b得到该多晶碳化硅的膜的工序。由此实现表面平滑且平坦并且内部应力也减小的碳化硅基板。
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公开(公告)号：CN108028183B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201680054539.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: H01L21/20 , C23C16/42 , H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明，在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层，不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等，使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。
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公开(公告)号：CN108028183A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054539.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: H01L21/20 , C23C16/42 , H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: C30B33/06 , C23C16/01 , C23C16/325 , C23C16/42 , C30B25/18 , C30B29/36 , H01L21/02 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02634 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明，在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层，不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等，使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。
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公开(公告)号：CN108140540B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201680049584.9
申请日：2016-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板21上将单晶SiC层12和多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15，然后以物理方式和/或化学方式将上述保持基板21除去。根据本发明，采用简便的制造方法得到具有结晶性良好的单晶SiC层的SiC复合基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110301033A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880012091.7
申请日：2018-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明为化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含B或A中的任一者的原子之间的键合、并且它们的晶格匹配的单极性的反相位区域边界面。由此，使化合物半导体层叠基板的表面背面的极性面成为单一极性，使半导体元件的工序设计变得容易，同时无需施加复杂的基板加工，可制造低成本、高性能、稳定的半导体元件。
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公开(公告)号：CN108140541A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680052889.5
申请日：2016-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在表面和背面具有氧化硅膜21a的由Si构成的保持基板21的表面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，将该单晶SiC层负载体14中的保持基板21的背面的部分区域或整面的氧化硅膜21a的厚度的一部分或全部除去，对单晶SiC层负载体14'赋予翘曲，接下来在单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而形成多晶SiC基板11，然后将上述保持基板21以物理和/或化学方式除去。根据本发明，采用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN110301033B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201880012091.7
申请日：2018-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明为化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含B或A中的任一者的原子之间的键合、并且它们的晶格匹配的单极性的反相位区域边界面。由此，使化合物半导体层叠基板的表面背面的极性面成为单一极性，使半导体元件的工序设计变得容易，同时无需施加复杂的基板加工，可制造低成本、高性能、稳定的半导体元件。
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公开(公告)号：CN108140541B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201680052889.5
申请日：2016-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在表面和背面具有氧化硅膜21a的由Si构成的保持基板21的表面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，将该单晶SiC层负载体14中的保持基板21的背面的部分区域或整面的氧化硅膜21a的厚度的一部分或全部除去，对单晶SiC层负载体14'赋予翘曲，接下来在单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而形成多晶SiC基板11，然后将上述保持基板21以物理和/或化学方式除去。根据本发明，采用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN110366611A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880014716.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: C30B29/36 , H01L21/205
Abstract: 本发明为碳化硅基板的制造方法，具有：准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板1a的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层1b、1b并使该被覆层1b、1b表面成为平滑面的支承基板1的工序；在所述支承基板1的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜10的工序；将所述支承基板1中至少被覆层1b、1b以化学方式除去，在使被覆层1b、1b表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板1分离，作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板10a、10b得到该多晶碳化硅的膜的工序。由此实现表面平滑且平坦并且内部应力也减小的碳化硅基板。
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