公开(公告)号：CN101286443B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810088668.0

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。

公开(公告)号：CN101256934B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200810005732.4

申请日：2008-02-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge外延膜生长。在Ge外延膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge外延膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge外延膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。

公开(公告)号：CN101207009B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710161139.4

申请日：2007-12-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。

公开(公告)号：CN101290872B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200810093348.4

申请日：2008-04-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种贴合基板的制造方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。

公开(公告)号：CN101188258B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200710193656.X

申请日：2007-11-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN101179054B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710170066.5

申请日：2007-11-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603 ,  Y10S438/967 ,  Y10T428/31612

Abstract: 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。

公开(公告)号：CN101174595A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185125.6

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  古屋昌浩 ,  川合信 ,  田中好一 ,  久保田芳宏 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN101262029B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810083479.4

申请日：2008-03-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/068 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。

公开(公告)号：CN101981654A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111732.5

申请日：2009-04-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信 ,  伊藤厚雄 ,  久保田芳宏 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101978467A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110193.3

申请日：2009-03-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/30608

Abstract: 本发明提供一种制造SOI晶片的方法，该方法能够有效去除存在于离子注入层中的离子注入缺陷层，所述离子注入层位于通过离子注入剥离方法剥离的剥离表面附近；确保基板的面内均一性；还能实现低成本和高产量。所述制造SOI晶片的方法至少包括以下工序：将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序，所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层；沿所述离子注入层进行剥离，从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上，制成剥离后的SOI晶片的工序；将所述剥离后的SOI晶片在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序；对经过所述氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序；和/或通过10-50nm的CMP研磨，对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。