公开(公告)号：CN118891404A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380027724.2

申请日：2023-02-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  川合信

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的目的在于，获得结晶缺陷少、高品质且廉价的AlN、AlxGa1‑xN(0 单晶的层。

公开(公告)号：CN107615449B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201680032098.6

申请日：2016-06-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

Abstract: 本发明提供一种复合晶片及制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法，其至少包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体照射可见光，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

公开(公告)号：CN111403265A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010233868.1

申请日：2015-12-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  小西繁 ,  茂木弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  C01B32/188

Abstract: 本发明涉及复合基板、纳米碳膜的制作方法和纳米碳膜。本发明提供一种纳米碳膜形成用复合基板的制造方法，其中，从单晶碳化硅基板的表面注入离子以形成离子注入区域，在该单晶碳化硅基板的离子注入面、以及操作基板的与单晶碳化硅基板贴合的表面分别形成薄膜，使得这些薄膜的合计膜厚为2nm以上且1μm以下，接着，将所述单晶碳化硅基板的离子注入面上的薄膜与操作基板上的薄膜贴合后，在所述离子注入区域剥离单晶碳化硅基板，使单晶碳化硅薄膜转印到操作基板上，进而对该单晶碳化硅薄膜进行研磨，从而获得的纳米碳膜形成用复合基板。

公开(公告)号：CN105190835B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201480024384.9

申请日：2014-04-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

公开(公告)号：CN104272432B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201380024083.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。

公开(公告)号：CN104736477A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380053732.0

申请日：2013-08-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/324

Abstract: 涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在基底基板上转印有包含单晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接着加热该混合基板使硅原子从上述包含单晶的碳化硅的薄膜升华，得到纳米碳膜。

公开(公告)号：CN104272432A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024083.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。

公开(公告)号：CN101286443B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810088668.0

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。

公开(公告)号：CN101256934B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200810005732.4

申请日：2008-02-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge外延膜生长。在Ge外延膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge外延膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge外延膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。

公开(公告)号：CN101207009B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710161139.4

申请日：2007-12-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。