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公开(公告)号：CN107180860B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201710131034.8
申请日：2017-03-07
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种减少制造时的繁琐度的技术。本发明的半导体装置具备：由含有镓的氮化物半导体形成的n型半导体区域、与上述n型半导体区域相接且由上述氮化物半导体形成的p型半导体区域、与上述n型半导体区域欧姆接触的第1电极、与上述p型半导体区域欧姆接触的第2电极，其中，上述第1电极和上述第2电极主要由相同的金属形成，上述相同的金属是选自钯、镍、铂中的至少一个金属，上述n型半导体区域的p型杂质浓度和上述p型半导体区域的p型杂质浓度实质上相同，上述n型半导体区域中，n型杂质浓度与p型杂质浓度之差为1.0×1019cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN105932052B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610104130.9
申请日：2016-02-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L21/283 , H01L23/485
Abstract: 本发明涉及半导体装置。该半导体装置具备：半导体层，其具有具有上表面和侧面的呈台地状的台面结构、以及在台面结构的周围扩展的周围面；肖特基电极，其与上表面肖特基接合；绝缘膜，其从周围面通过侧面遍及肖特基电极上而形成，在肖特基电极上具有开口部；布线电极，其在开口部的内侧与肖特基电极电连接，从开口部的内侧通过绝缘膜的部位中的形成于侧面的部位上，遍及绝缘膜的部位中的形成于周围面的部分上形成。
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公开(公告)号：CN105304712B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510364222.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在该半导体装置中，实现载流子迁移率的提高以及栅极漏电电流的降低。半导体装置具备：半导体层，其主要由氮化镓(GaN)构成；第一栅极绝缘膜，其通过使用臭氧作为氧化剂的原子层沉积法被形成在半导体层上，且主要由氧化物构成；第二栅极绝缘膜，其通过使用氧等离子体作为氧化剂的原子层沉积法被形成在第一绝缘膜上，主要由氧化物构成，且以比第一绝缘膜低的浓度含有碳(C)；以及栅电极，其被形成在第二栅极绝缘膜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107799611A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710722945.8
申请日：2017-08-22
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/0274 , H01L21/8252 , H01L23/528 , H01L27/0814 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L29/66212 , H01L29/8725 , H01L29/66143
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体单元具备：台面部；台面部上的肖特基电极；绝缘膜，形成在接近台面部的上表面的一端的肖特基电极的一部分、台面部的侧面以及半导体层的表面上；以及形成在肖特基电极和绝缘膜上的布线电极。台面部的侧面与半导体层的表面所成的角为90度。布线电极位于台面部上的相对的绝缘膜之间。绝缘膜在半导体层的表面上相互连接，并将布线电极和半导体层隔开。
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公开(公告)号：CN105932052A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610104130.9
申请日：2016-02-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L21/283 , H01L23/485
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/28537 , H01L21/28581 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/24 , H01L29/407 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/66969 , H01L29/475 , H01L21/283 , H01L23/485
Abstract: 本发明涉及半导体装置。该半导体装置具备：半导体层，其具有上表面和侧面的呈台地状的台面结构、以及在台面结构的周围扩展的周围面；肖特基电极，其与上表面肖特基接合；绝缘膜，其从周围面通过侧面遍及肖特基电极上而形成，在肖特基电极上具有开口部；布线电极，其在开口部的内侧与肖特基电极电连接，从开口部的内侧通过绝缘膜的部位中的形成于侧面的部位上，遍及绝缘膜的部位中的形成于周围面的部分上形成。
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公开(公告)号：CN103489926B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310223568.5
申请日：2013-06-06
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0661 , H01L29/2003 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/8613
Abstract: 本发明涉及半导体器件。具体地，本发明提供一种垂直二极管，包括衬底；n层和p层，设置在衬底的顶面上的n层和p层由GaN形成；形成在衬底的背面上的n电极；以及形成在p层的表面上的p电极。在器件的外周形成有台阶。形成有连续地覆盖台阶的侧表面和底表面的保护膜。在台阶的侧表面和底表面上经由保护膜形成有待连接至p电极的场板电极。当从PN结界面到台阶的底表面上的保护膜的表面的距离定义为h(μm)、保护膜的介电常数定义为εs、以及在台阶的侧表面上的PN结界面处的保护膜的厚度定义为d(μm)时，(εs·h)/d为4或更大并且εs/d为3或更大。
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公开(公告)号：CN105470304A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510612562.6
申请日：2015-09-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L29/41741 , H01L29/513 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/41725 , H01L21/28 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置中，抑制制造成本以及元件尺寸，并且充分确保欧姆电极的欧姆特性。半导体装置具备：半导体层；第一电极，其与上述半导体层的一部分欧姆接触；绝缘膜，其以从上述半导体层上遍及到第一电极上的方式形成，在比第一电极的外缘端靠内侧具有开口部；第二电极，其形成在上述绝缘膜中与形成在上述第一电极上的部分不同的部分上；以及第三电极，其由与构成第二电极的成分相同的成分构成，经过开口部形成在第一电极上，并且以从第一电极上遍及到在绝缘膜上的比第一电极的外缘端靠内侧的方式形成。
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公开(公告)号：CN104078505A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410098589.3
申请日：2014-03-17
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L29/513 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66666 , H01L29/7786 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7835
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置即使对栅极电极层反复施加晶体管动作时的栅极电压，也不会发生阈值电压的漂移。在具备层叠于半导体层的一侧的面的栅极绝缘膜、和层叠在栅极绝缘膜上，用于经由该栅极绝缘膜向半导体层施加用于形成沟道的电压的栅极电极层的半导体装置中，栅极绝缘膜具备层叠于半导体层的一侧的面的第一绝缘膜、和配置在第一绝缘膜与栅极电极层之间的第二绝缘膜，在将第一以及第二绝缘膜的相对介电常数设为ε1、ε2，将第一以及第二绝缘膜的膜厚设为d1[nm]、d2[nm]，将对栅极电极层能够施加的额定电压设为Vmax[V]时，构成为ε1
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