公开(公告)号：CN104979407B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201510047533.X

申请日：2015-01-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 长谷川一也 ,  冈彻 ,  田中成明

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种可提高电极层和半导体层的势垒高度的技术。该半导体装置包含由半导体形成的半导体层以及与上述半导体层至少一部分肖特基接合的电极层，其中，上述电极层从上述半导体层侧依次包含第1层和第2层，上述第1层是主要由镍形成的层，膜厚为50～200nm，上述第2层是主要由选自钯、铂和铱中的至少1种金属形成的层，上述第2层的膜厚为上述第1层的膜厚以上。

公开(公告)号：CN104979407A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510047533.X

申请日：2015-01-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 长谷川一也 ,  冈彻 ,  田中成明

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种可提高电极层和半导体层的势垒高度的技术。该半导体装置包含由半导体形成的半导体层以及与上述半导体层至少一部分肖特基接合的电极层，其中，上述电极层从上述半导体层侧依次包含第1层和第2层，上述第1层是主要由镍形成的层，膜厚为50～200nm，上述第2层是主要由选自钯、铂和铱中的至少1种金属形成的层，上述第2层的膜厚为上述第1层的膜厚以上。

公开(公告)号：CN105932052B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610104130.9

申请日：2016-02-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 长谷川一也 ,  冈彻 ,  田中成明

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明涉及半导体装置。该半导体装置具备：半导体层，其具有具有上表面和侧面的呈台地状的台面结构、以及在台面结构的周围扩展的周围面；肖特基电极，其与上表面肖特基接合；绝缘膜，其从周围面通过侧面遍及肖特基电极上而形成，在肖特基电极上具有开口部；布线电极，其在开口部的内侧与肖特基电极电连接，从开口部的内侧通过绝缘膜的部位中的形成于侧面的部位上，遍及绝缘膜的部位中的形成于周围面的部分上形成。

公开(公告)号：CN107799611A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710722945.8

申请日：2017-08-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 长谷川一也 ,  冈彻 ,  田中成明

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/8725 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体单元具备：台面部；台面部上的肖特基电极；绝缘膜，形成在接近台面部的上表面的一端的肖特基电极的一部分、台面部的侧面以及半导体层的表面上；以及形成在肖特基电极和绝缘膜上的布线电极。台面部的侧面与半导体层的表面所成的角为90度。布线电极位于台面部上的相对的绝缘膜之间。绝缘膜在半导体层的表面上相互连接，并将布线电极和半导体层隔开。

公开(公告)号：CN105932052A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610104130.9

申请日：2016-02-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 长谷川一也 ,  冈彻 ,  田中成明

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/407 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/475 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明涉及半导体装置。该半导体装置具备：半导体层，其具有上表面和侧面的呈台地状的台面结构、以及在台面结构的周围扩展的周围面；肖特基电极，其与上表面肖特基接合；绝缘膜，其从周围面通过侧面遍及肖特基电极上而形成，在肖特基电极上具有开口部；布线电极，其在开口部的内侧与肖特基电极电连接，从开口部的内侧通过绝缘膜的部位中的形成于侧面的部位上，遍及绝缘膜的部位中的形成于周围面的部分上形成。