公开(公告)号：CN103178099A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210567894.3

申请日：2012-12-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 园山贵广 ,  冈彻

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L21/28202 ,  H01L23/291 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供MIS型半导体器件及其制造方法。具体而言，本发明提供了一种具有ZrOxNy栅极绝缘膜的其中阈值电压稳定的MIS型半导体器件。在具有5V或更大的工作电压的、具有在Si半导体层上的栅极绝缘膜和在栅极绝缘膜上的栅电极的MIS型半导体器件中，栅极绝缘膜由ZrOxNy(在此，x和y满足以下条件：x＞0，y＞0，0.3≤y/x≤10以及1.5≤0.55x+y≤1.7)形成。由于即使在施加大电压时阈值电压也不波动，因此，具有这样的栅极绝缘膜的MIS型半导体器件能够稳定地操作。

公开(公告)号：CN104078505A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410098589.3

申请日：2014-03-17

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 冈彻 ,  园山贵广

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置即使对栅极电极层反复施加晶体管动作时的栅极电压，也不会发生阈值电压的漂移。在具备层叠于半导体层的一侧的面的栅极绝缘膜、和层叠在栅极绝缘膜上，用于经由该栅极绝缘膜向半导体层施加用于形成沟道的电压的栅极电极层的半导体装置中，栅极绝缘膜具备层叠于半导体层的一侧的面的第一绝缘膜、和配置在第一绝缘膜与栅极电极层之间的第二绝缘膜，在将第一以及第二绝缘膜的相对介电常数设为ε1、ε2，将第一以及第二绝缘膜的膜厚设为d1[nm]、d2[nm]，将对栅极电极层能够施加的额定电压设为Vmax[V]时，构成为ε1

公开(公告)号：CN104078505B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201410098589.3

申请日：2014-03-17

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 冈彻 ,  园山贵广

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置即使对栅极电极层反复施加晶体管动作时的栅极电压，也不会发生阈值电压的漂移。在具备层叠于半导体层的一侧的面的栅极绝缘膜、和层叠在栅极绝缘膜上，用于经由该栅极绝缘膜向半导体层施加用于形成沟道的电压的栅极电极层的半导体装置中，栅极绝缘膜具备层叠于半导体层的一侧的面的第一绝缘膜、和配置在第一绝缘膜与栅极电极层之间的第二绝缘膜，在将第一以及第二绝缘膜的相对介电常数设为ε1、ε2，将第一以及第二绝缘膜的膜厚设为d1[nm]、d2[nm]，将对栅极电极层能够施加的额定电压设为Vmax[V]时，构成为ε1 V max d 1 + ϵ 1 ϵ 2 · d 2 ≤ 21 [ MV / cm ] · · · ( C 1 ) .