公开(公告)号：CN105304712B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201510364222.6

申请日：2015-06-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 村上伦章 ,  冈彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在该半导体装置中，实现载流子迁移率的提高以及栅极漏电电流的降低。半导体装置具备：半导体层，其主要由氮化镓(GaN)构成；第一栅极绝缘膜，其通过使用臭氧作为氧化剂的原子层沉积法被形成在半导体层上，且主要由氧化物构成；第二栅极绝缘膜，其通过使用氧等离子体作为氧化剂的原子层沉积法被形成在第一绝缘膜上，主要由氧化物构成，且以比第一绝缘膜低的浓度含有碳(C)；以及栅电极，其被形成在第二栅极绝缘膜上。

公开(公告)号：CN105304712A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510364222.6

申请日：2015-06-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 村上伦章 ,  冈彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在该半导体装置中，实现载流子迁移率的提高以及栅极漏电电流的降低。半导体装置具备：半导体层，其主要由氮化镓(GaN)构成；第一栅极绝缘膜，其通过使用臭氧作为氧化剂的原子层沉积法被形成在半导体层上，且主要由氧化物构成；第二栅极绝缘膜，其通过使用氧等离子体作为氧化剂的原子层沉积法被形成在第一绝缘膜上，主要由氧化物构成，且以比第一绝缘膜低的浓度含有碳(C)；以及栅电极，其被形成在第二栅极绝缘膜上。