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公开(公告)号：CN103088318A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310009608.6
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，包括：一第一气体入口；一第一气体出口；一第一直通阀门的一端与第一气体入口连通，该第一直通阀门的另一端与第一气体出口连通；一第一旁通阀门的一端与第一直通阀门的一端连接；一第二旁通阀门的一端与第一直通阀门的另一端连接；一第二气体入口；一第二气体出口；一第二直通阀门的一端与第二气体入口连通，该第二直通阀门的另一端与第二气体出口连通；一第三旁通阀门的一端与第二直通阀门的一端连接，该第三旁通阀门的另一端与第一旁通阀门的另一端连接；一第四旁通阀门的一端与第二直通阀门的另一端连接，该第四旁通阀门的另一端与第二旁通阀门的另一端连接；一气体混合器位于第一旁通阀门及第二旁通阀门之间并与之连通。
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公开(公告)号：CN101819925B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010162506.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。
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公开(公告)号：CN102534559A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210029175.6
申请日：2012-02-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机气相沉积设备的进气喷头，包括：多个进气管路；一上层板，该上层板为圆盘状；一外壳体，该外壳体为圆筒状，位于上层板的下面；一下层板，该下层板为圆盘状，位于外壳体的下面；气体分配管路，位于下层板上面、外壳体内部，多个进气管路穿过上层板与气体分配管路相连通。本发明具有混合均匀，减少预沉积，提高外延片的晶体均匀性；与常规MOCVD进气喷头相比，可以降低制作加工难度，减少维护次数；这种进气喷头结构容易扩展进气面积，从而提高MOCVD的每炉产能，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101812671B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010033967.1
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。
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公开(公告)号：CN101752444B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200810240351.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101914762A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010269018.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构，该结构包括进气顶盘法兰和水冷匀气板，该进气顶盘法兰为一圆形金属盘状结构，中间为圆形凹坑，沿圆形凹坑径向用板条隔开，分为2n个扇形区，n为大于1的整数；该水冷匀气板分为有机源水冷匀气板和氢化物气体水冷匀气板，每一个扇形区对应一个水冷匀气板。利用本发明，可以使反应气体均匀的进入反应室内，使反应室内气体达到均匀生长的气流模式。
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公开(公告)号：CN101812671A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033967.1
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。
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公开(公告)号：CN101811871A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033965.2
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C04B35/622 , C04B35/565 , C23C16/44 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘的制作工艺，包括以下步骤：在纯度≥98％、平均粒径0.5μm以下、具有流动性的碳化硅微粉中添加烧结助剂，采用干式混合法形成混合物；采用干压成型工艺压制成型以形成坯体；对坯体进行高温真空烧结；对烧结后的坯体磨削加工以形成衬托盘。本发明还涉及一种采用上述工艺制作而成的用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘。
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公开(公告)号：CN101752444A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810240351.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。
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公开(公告)号：CN100555660C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610127920.5
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
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