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公开(公告)号：CN101266999B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710064383.9
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂AlxInyGazN层，该AlxInyGazN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面。
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公开(公告)号：CN100555660C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610127920.5
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
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公开(公告)号：CN100495724C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610112889.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266999A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710064383.9
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂AlxInyGazN层，该AlxInyGazN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面。
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公开(公告)号：CN101136432A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610127920.5
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
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公开(公告)号：CN101515543B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810057890.4
申请日：2008-02-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，包括如下步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成核层上生长铝和氮化铝的超晶格；在铝和氮化铝的超晶格上生长四层氮化镓层；在氮化镓生长过程中，降低温度，插入三层氮化铝层；最后改变生长室气压，生长一层氮化镓层。利用本发明，通过控制生长条件，如温度、压力以及生长氮化镓的缓冲层结构设计方面的改进，在硅衬底上外延生长出了氮化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN101515543A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810057890.4
申请日：2008-02-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，包括如下步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成核层上生长铝和氮化铝的超晶格；在铝和氮化铝的超晶格上生长四层氮化镓层；在氮化镓生长过程中，降低温度，插入三层氮化铝层；最后改变生长室气压，生长一层氮化镓层。利用本发明，通过控制生长条件，如温度、压力以及生长氮化镓的缓冲层结构设计方面的改进，在硅衬底上外延生长出了氮化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN101140947A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610112889.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。
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