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公开(公告)号：CN101812671B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010033967.1
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。
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公开(公告)号：CN101812671A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033967.1
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。
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公开(公告)号：CN101811871A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033965.2
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C04B35/622 , C04B35/565 , C23C16/44 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘的制作工艺，包括以下步骤：在纯度≥98％、平均粒径0.5μm以下、具有流动性的碳化硅微粉中添加烧结助剂，采用干式混合法形成混合物；采用干压成型工艺压制成型以形成坯体；对坯体进行高温真空烧结；对烧结后的坯体磨削加工以形成衬托盘。本发明还涉及一种采用上述工艺制作而成的用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘。
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公开(公告)号：CN101748377B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010033963.3
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离，且所述调距装置包括：设置在上端法兰和下端法兰之间的波纹管，引导波纹管的伸缩移动的支撑杆，以及使得波纹管伸缩移动的调距丝杆。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
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公开(公告)号：CN101812674A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033962.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置，包括：通过氮气管道连接到氮气气源的氮气分配管路，该氮气分配管路具有多个氮气分配支路；通过氢气管道连接到氢气源的氢气分配管路，该氢气分配管路具有多个氢气分配支路，其中，氮气分配管路的一个氮气分配支路与氢气分配管路的一个氢气分配支路连接，在连接处安装有连接处单向阀门，该连接处单向阀门打开时允许氮气通过其进入到氢气分配管路以执行吹洗操作、同时防止氢气通过其进入到氮气分配管路。本发明的气体分配装置可以实现气源气体的多路分配，准确控制各管路需要压力，从而实现不同使用目的的气体供应需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101736311A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010033964.8
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的加热装置，包括：至少两段炉丝，该至少两段炉丝布置在同一加热平面内，且每一段炉丝连接到各自的电极；邻近所述加热平面布置在至少两段炉丝下方的测温计，用于探测每一段炉丝的加热温度；和温度控制器，该温度控制器基于测温计测得的温度，分别控制施加到每一段炉丝的加热功率以分别控制该至少两段炉丝的加热温度，使该至少两段炉丝的加热温度均匀化。根据本发明的金属有机物化学沉积设备的加热装置采用多段炉丝加热，通过每段炉丝加热功率的独立控制和/或炉丝形状、尺寸的设计，实现大面积加热温度的均匀可控，从而提高了外延材料的质量。另外，采用水冷电极和加热器屏蔽罩，进一步提高了加热的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN101811871B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010033965.2
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/44 , C04B35/622 , C04B35/565 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘的制作工艺，包括以下步骤：在纯度≥98％、平均粒径0.5μm以下、具有流动性的碳化硅微粉中添加烧结助剂，采用干式混合法形成混合物；采用干压成型工艺压制成型以形成坯体；对坯体进行高温真空烧结；对烧结后的坯体磨削加工以形成衬托盘。本发明还涉及一种采用上述工艺制作而成的用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘。
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公开(公告)号：CN101812674B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010033962.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置，包括：通过氮气管道连接到氮气气源的氮气分配管路，该氮气分配管路具有多个氮气分配支路；通过氢气管道连接到氢气源的氢气分配管路，该氢气分配管路具有多个氢气分配支路，其中，氮气分配管路的一个氮气分配支路与氢气分配管路的一个氢气分配支路连接，在连接处安装有连接处单向阀门，该连接处单向阀门打开时允许氮气通过其进入到氢气分配管路以执行吹洗操作、同时防止氢气通过其进入到氮气分配管路。本发明的气体分配装置可以实现气源气体的多路分配，准确控制各管路需要压力，从而实现不同使用目的的气体供应需要。
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公开(公告)号：CN101812673A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033960.X
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头，包括：封闭型外壳体，该外壳体包括上层板、中层板和下层板，在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室，在中层板和下层板之间形成冷却腔室，进气腔室被分隔成彼此隔离的多个扇形区域。对于每一个扇形区域，在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管，细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室，且细管的开口端与进气腔室连通，细管的出口端朝向邻近的衬底表面；进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。本发明可以使不同的反应气体通过扇形区域均匀送入反应室。通过控制衬底旋转速度，可以减少预反应，实现高质量的材料外延生长，也可以通过提高衬底转速，实现普通外延生长模式。
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公开(公告)号：CN101748377A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010033963.3
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
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