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公开(公告)号：CN101140252B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610112883.0
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温度，满足对气体传感器或半导体器件性能进行测试的不同温度条件需要；测试单元，用于测试在不同温度和不同浓度测试用气体下气体传感器或半导体器件电流电压特性的变化，实现对气体传感器或半导体器件性能进行的测试。利用本发明，实现了在高温下对气体传感器的气敏性能和半导体器件的电学性能进行测试，满足了对气体传感器和半导体器件研究测试的需要。
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公开(公告)号：CN101266999B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710064383.9
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂AlxInyGazN层，该AlxInyGazN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面。
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公开(公告)号：CN101140947A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610112889.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。
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公开(公告)号：CN100555660C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610127920.5
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
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公开(公告)号：CN100495724C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610112889.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266999A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710064383.9
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂AlxInyGazN层，该AlxInyGazN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面。
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公开(公告)号：CN100452322C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610011228.6
申请日：2006-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/20 , H01L29/02 , H01L29/772
Abstract: 本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层；改变生长室压力，在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；改变衬底温度和生长室压力，在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；最后在氮化铝插入层上生长铝镓氮层。
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公开(公告)号：CN101140252A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610112883.0
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温度，满足对气体传感器或半导体器件性能进行测试的不同温度条件需要；测试单元，用于测试在不同温度和不同浓度测试用气体下气体传感器或半导体器件电流电压特性的变化，实现对气体传感器或半导体器件性能进行的测试。利用本发明，实现了在高温下对气体传感器的气敏性能和半导体器件的电学性能进行测试，满足了对气体传感器和半导体器件研究测试的需要。
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公开(公告)号：CN101136432A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610127920.5
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
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公开(公告)号：CN101005034A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610011228.6
申请日：2006-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/20 , H01L29/02 , H01L29/772
Abstract: 本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一种碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层；改变生长室压力，在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；改变衬底温度和生长室压力，在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；最后在氮化铝插入层上生长铝镓氮层。
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