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公开(公告)号：CN101792111B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910243533.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：在掩模上加工出可供沉积粒子通过的狭缝；在膜料沉积过程中移动掩模狭缝，使沉积区域在基片上移动；通过控制基片各个区域的沉积时间来控制各区域沉积的膜厚，从而对膜层的厚度分布进行调制；在基底的同一区域连续沉积多层不同膜料和厚度分布的膜层，从而得到多层浮雕结构的复合膜层。本发明在微/纳浮雕结构的制备方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101736287A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910241921.6
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法，包括：采用常规技术在衬底上沉积掩蔽膜层，在掩蔽膜层上涂布光刻胶；采用光刻技术在光刻胶上制备线条结构；以一定角度进行倾斜蒸镀，在每条光刻胶线条边缘外形成一条一定宽度的没有沉积蒸镀材料的阴影区；然后以蒸镀的材料作为保护层对掩蔽膜层进行干法刻蚀，阴影区域的掩蔽膜层由于没有蒸镀材料的保护而被刻蚀掉，这样得到对应于阴影区域的掩蔽膜层狭缝；通过掩蔽膜层狭缝以稀释的氢氟酸溶液对衬底进行各向同性腐蚀，得到位于衬底表面的半圆柱形沟槽。该方法不需要电子束、离子束等昂贵的设备，就可以大面积地制备得到宽度为二十纳米到二微米的掩蔽膜层狭缝，进而得到直径为一百纳米到十微米之间任何数值的半圆柱形沟槽。
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公开(公告)号：CN1796927A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410098974.4
申请日：2004-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开一种全新的显微定位加力观测板，由用于显微定位及比较观察的微结构层和用于承载加力板的基底组合而成，通过微结构层的图形或标注对比观察判断被观察物大小、形状，实现定位观测。本发明用微细加工的方法制作不同形状的微结构或标尺用作显微定位及对比基准，再将微结构层与基底层采用多种方式组合得到显微定位加力观测板。本发明可用于生物力学、细胞学等多种需要显微形貌观测的领域，如：细胞受激反应观测、定位观察、对比观察、细胞计数、被测物大小及类型初步判定，具有方法实用、简单；加力方式灵活、多样；低成本、低污染等优点。
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公开(公告)号：CN1794093A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510130719.8
申请日：2005-12-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 掩膜遮蔽变角度沉积制作纳米周期结构图形的方法，包括以下步骤：利用掩模版进行曝光光刻；根据所要制作纳米结构图形的线宽和周期、光刻胶图形的高度、蒸发源与基片的距离等参数，计算出相应的蒸发源入射角度；调节蒸发入射角依次沉积金属薄膜和牺牲层；剥离光刻胶和牺牲层。本发明主要利用lift－off技术以及金属沉积时光刻胶的遮蔽效应，以角位移来代替纳米精度的线位移，实现纳米图形的制作。利用本发明已经制作出周期为4μm，线宽为250nm，图形区为10mm×10mm的光栅线条。
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公开(公告)号：CN1125352C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN00116117.2
申请日：2000-09-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作微透镜列阵的方法。该方法包含设计、制作二元掩模，将掩模经光学系统投影在光刻材料上，在曝光过程中移动掩模，刻蚀、复制等步骤。该方法克服了二元光学方法、激光直写技术、光刻热熔法等方法存在的缺陷和上述方法在制作大面积、大深度的连续浮雕微透镜列阵时的工艺困难。与上述方法比较，本发明制作工序少、生产成本低、生产的连续浮雕微透镜列阵成像质量好。故该方法可推广应用于高质量的微透镜列阵批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102560565A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210027790.3
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。
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公开(公告)号：CN101727007B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910243539.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法，是采用光刻胶-银膜一光刻胶的三层膜层结构基片，纳米掩模图形面与基片表层光刻胶接触曝光。银膜功能是通过紫外照明光，将铬膜上的线宽尺度在20nm～500nm的图形成像到基片表层光刻胶，实现纳米图形成像光刻。表层光刻胶曝光显影后，通过两步刻蚀，将图形传递到金属银膜和底层光刻胶层，从而实现高深宽比的纳米光刻胶图形。
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公开(公告)号：CN101723307B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910243541.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法步骤为：采用常规技术在石英衬底上沉积膜层，在膜层上涂布光刻胶，进行光刻、显影、坚模；利用光刻胶图形作掩蔽和湿法腐蚀各向同性的特点，使用腐蚀液刻蚀掉光刻胶图形边缘下方的膜层，形成一定宽度的空气间隙；湿法腐蚀后得到的结构表面再次沉积相同材料的膜层，去除光刻胶后得到和空气间隙宽度相同的狭缝；再利用膜层为掩蔽，通过狭缝，使用氢氟酸缓冲液对石英衬底进行各向同性腐蚀，得到半圆柱形微细沟槽。该方法不需要电子束、粒子束、干法刻蚀等昂贵的设备就可制备得到宽度范围在700纳米到2.5微米的狭缝，通过控制湿法腐蚀的条件进而得到直径宽度范围为700纳米到2.5微米，深度范围为350纳米到1.25微米的的半圆柱形微细沟槽。
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公开(公告)号：CN1975507B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200610165157.5
申请日：2006-12-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 添加导引光的条阵大功率半导体激光器(High-Power Laser Diode Bar，简称LD)的整形方法：(1)通过计算光纤纤芯半径和孔径角一半的乘积，以及LD光束在快慢轴两个方向上的光参数积，确定对LD光束整形所需要折叠的次数，制作高反射效率的整形器；(2)采用快慢轴准直透镜阵列对分别对LD的快慢轴两个方向进行准直，得到条形的准直光斑；(3)安装整形器，实现光束的整形；(4)安装聚焦透镜和光纤，调节光纤到合适的位置，使输出的LD的功率最大；(5)从整形器的合适位置入射导引光，调节导引光到适当的位置，使从光纤输出的导引光的光功率达到最大。本发明光路设计紧凑合理，不改变LD的光路，避免了在LD光路中引入新的散射和反射损失，保证了LD的光路稳定性。
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公开(公告)号：CN101727007A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910243539.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法，是采用光刻胶-银膜一光刻胶的三层膜层结构基片，纳米掩模图形面与基片表层光刻胶接触曝光。银膜功能是通过紫外照明光，将铬膜上的线宽尺度在20nm～500nm的图形成像到基片表层光刻胶，实现纳米图形成像光刻。表层光刻胶曝光显影后，通过两步刻蚀，将图形传递到金属银膜和底层光刻胶层，从而实现高深宽比的纳米光刻胶图形。
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