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公开(公告)号：CN105316656B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510450869.0
申请日：2015-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置具备：分别限定性地向沿着基板保持件中的基板的排列方向的第一和第二基板保持区域供给原料气体的第一原料气体供给部和第二原料气体供给部、向第一和第二基板保持区域供给反应气体的反应气体供给部、在第一和第二基板保持区域中的某一方被供给原料气体时向另一方供给吹扫气体的吹扫气体供给部、在基板保持件中被保持在第一基板保持区域与第二基板保持区域之间且划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域的划分用基板、以及输出控制信号使得将包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环以及包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环分别进行多次的控制部。
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公开(公告)号：CN104916569A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510105606.6
申请日：2015-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67098 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法。该立式热处理装置在将表面形成有凹凸的多个被处理基板在立式的反应容器内保持于基板保持件的状态下，利用加热部进行加热而对所述被处理基板进行成膜处理，该立式热处理装置包括：气体供给部，其用于向所述反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其由石英构成，以分别位于比保持于所述基板保持件的所述多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置，在将所述气体分布调整构件的每单位区域的表面积称作S、将所述被处理基板的表面积除以根据被处理基板的外形尺寸计算出的表面积而得到的每单位区域的表面积称作S0时，将S除以S0而得到的值S/S0设定为0.8以上。
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公开(公告)号：CN102345111B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201110217038.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置，该成膜装置包括：处理容器；原料气体供给系统，其具有第1开闭阀，能向处理容器内供给原料气体；反应气体供给系统，其具有第2开闭阀，能向处理容器内供给反应气体；真空排气系统，其具有第3开闭阀，能将处理容器内的气氛气体排成而成为真空，其中，吸附工序和反应工序存在间歇期间地交替反复多次，该吸附工序为，关闭第3开闭阀，打开第1开闭阀规定期间，向处理容器供给原料气体之后，将其关闭，保持该状态规定期间，使原料气体吸附于被处理体的表面；该反应工序为，打开第2开闭阀，向处理容器内供给反应气体，使反应气体与原料气体反应而形成薄膜。
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公开(公告)号：CN101325160B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810142874.5
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。
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公开(公告)号：CN102242350A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110126549.1
申请日：2011-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/402
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1氧化气体和第2氧化气体构成的气体，该第1氧化气体由O2气体和O3气体中的至少一种气体构成，该第2氧化气体由H2O气体和H2O2气体中的至少一种气体构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101570856A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910142629.9
申请日：2005-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/452 , H01J37/32 , H01L21/318
Abstract: 本发明涉及半导体处理用成膜装置，该装置具有：处理容器，支持被处理基板的支持部件，加热被处理基板的加热器，排放气体的排气系统，供给成膜用第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体以及与第一、第二处理气体均不同的第三处理气体的第一、第二、第三处理气体供给系统，激发第二处理气体的激发机构，控制成膜装置动作的控制部分，为通过CVD在被处理基板上形成薄膜，所述控制部分交叉实施如下工序：供给第一和第三处理气体，同时停止供给第二处理气体，通过激发机构，使第三处理气体以激发状态供给；停止供给第一、第二、第三处理气体；供给第二处理气体，同时停止供给第一和第三处理气体；停止供给第一、第二、第三处理气体。
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公开(公告)号：CN101562133A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910130094.3
申请日：2009-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/02145 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/28282 , H01L21/31612 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内，进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括：阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第一绝缘薄层的工序；接着，阻断所述硅源气体的供给、并且使所述金属源气体发生化学反应来形成第一金属薄层的工序；接着，阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成第二绝缘薄层的工序。
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公开(公告)号：CN101381861A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810109374.1
申请日：2005-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/452 , H01J37/32 , H01L21/318
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第一和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。在第三工序中，在向处理区域供给第二处理气体的同时，停止向处理区域供给第一处理气体。在第四工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。
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公开(公告)号：CN100426474C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510087306.6
申请日：2005-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/318 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45531 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/507
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域内供给第一和第三处理气体。在第二工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。在第三工序中，向处理区域内供给第二处理气体，而停止向处理区域供给第一和第三处理气体。第三工序具有将由激发机构使之处于激发状态的第二处理气体供给至处理区域的激发期间。在第四工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。
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公开(公告)号：CN1713351A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510077437.6
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/365 , H01L21/469 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释掺杂气体的混合气体的混合气体供给系统。混合气体供给系统包括：用于混合掺杂气体和稀释气体以形成混合气体并设置在处理容器外的气体混合箱体，从气体混合箱体向处理容器内供给混合气体的供给线，向气体混合箱体供给掺杂气体的掺杂气体供给系统，以及向气体混合箱体供给稀释气体的稀释气体供给系统。
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