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公开(公告)号：CN104916569A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510105606.6
申请日：2015-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67098 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法。该立式热处理装置在将表面形成有凹凸的多个被处理基板在立式的反应容器内保持于基板保持件的状态下，利用加热部进行加热而对所述被处理基板进行成膜处理，该立式热处理装置包括：气体供给部，其用于向所述反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其由石英构成，以分别位于比保持于所述基板保持件的所述多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置，在将所述气体分布调整构件的每单位区域的表面积称作S、将所述被处理基板的表面积除以根据被处理基板的外形尺寸计算出的表面积而得到的每单位区域的表面积称作S0时，将S除以S0而得到的值S/S0设定为0.8以上。
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公开(公告)号：CN101325160B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810142874.5
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。
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公开(公告)号：CN101440482A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810179942.5
申请日：2008-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/45519 , H01L21/3185
Abstract: 一种薄膜形成装置及其使用方法，用来在反应室内在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，用来除去堆积到从供给用来成膜的成膜气体的成膜气体供给系统，通过所述反应室，直到排气系统的气体路径的规定区域上的副生成物膜，在所述反应室内没有装入所述被处理基板的状态下，通过交替反复进行蚀刻工序和排气工序进行清洁处理，在蚀刻工序中，在向所述规定区域供给蚀刻所述副生成物膜的清洁气体并活性化的同时，蚀刻所述副生成物膜，在排气工序中，停止所述清洁气体的供给，通过所述排气系统对所述规定区域存在的空间进行排气。
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公开(公告)号：CN102047386A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120277.5
申请日：2009-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳掺杂的氮化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜的方法。用于沉积的含硅前体是一氯甲硅烷和一氯烷基硅烷。该方法优选通过使用等离子体增强的原子层沉积、等离子体增强的化学气相沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积进行。
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公开(公告)号：CN101488452A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910005511.1
申请日：2009-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法能够有选择地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并且在与用于在供给第二处理气体时对其进行激发的激发机构连通的处理区域内反复进行多次等离子体循环和非等离子体循环，在被处理基板上形成硅氮化膜。该方法包括：求取表示等离子体循环和非等离子体循环的循环混合方式相对于硅氮化膜的膜质要素的关系的关系式或关系表的工序；根据膜质要素的目标值并参照关系式或关系表，决定循环混合方式的具体方式的工序；和根据具体方式安排成膜处理的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101413113A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810176992.8
申请日：2008-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , H01L21/00 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/32174
Abstract: 一种对多个被处理基板一起进行等离子体处理的半导体处理用的立式等离子体处理装置包括使处理气体的至少一部分等离子体化的激励机构。激励机构包括夹着等离子体发生区域相对地配置在等离子体生成箱上的第一和第二电极；和向所述第一和第二电极供给等离子体发生用的高频电力的高频电源，该高频电源包括第一和第二输出端子，第一和第二输出端子分别是接地和非接地端子。还配设切换机构，切换第一电极和第一输出端子连接并且第二电极和第二输出端子连接的第一状态以及第一电极和第二输出端子连接并且第二电极和第一输出端子连接的第二状态。
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公开(公告)号：CN106409718A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510461147.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67098
Abstract: 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法，在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时，能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括：气体供给部，其用于向反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其以分别位于比保持于基板保持件的多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置。并且，气体分布调整构件包含设于比基板保持件的顶板靠下方的位置且是比基板保持件的底板靠上方的位置的、分别形成有凹凸的第1板状构件和第2板状构件，第1板状构件具有第1表面积，第2板状构件具有与第1表面积不同的第2表面积。
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公开(公告)号：CN102097302B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010566113.X
申请日：2010-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。
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公开(公告)号：CN102047386B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980120277.5
申请日：2009-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳掺杂的氮化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜的方法。用于沉积的含硅前体是一氯甲硅烷和一氯烷基硅烷。该方法优选通过使用等离子体增强的原子层沉积、等离子体增强的化学气相沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积进行。
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公开(公告)号：CN101440482B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810179942.5
申请日：2008-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/45519 , H01L21/3185
Abstract: 一种薄膜形成装置及其使用方法，用来在反应室内在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，用来除去堆积到从供给用来成膜的成膜气体的成膜气体供给系统，通过所述反应室，直到排气系统的气体路径的规定区域上的副生成物膜，在所述反应室内没有装入所述被处理基板的状态下，通过交替反复进行蚀刻工序和排气工序进行清洁处理，在蚀刻工序中，在向所述规定区域供给蚀刻所述副生成物膜的清洁气体并活性化的同时，蚀刻所述副生成物膜，在排气工序中，停止所述清洁气体的供给，通过所述排气系统对所述规定区域存在的空间进行排气。
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