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公开(公告)号：CN118086867A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311547604.3
申请日：2023-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C16/02
Abstract: 本公开涉及一种成膜方法和成膜装置，能够形成不易氧化的SiCN膜。基于本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：吸附工序，对基板供给原料气体来使所述原料气体吸附于所述基板，所述原料气体的分子中具有包含硅原子和碳原子的环状结构；热氮化工序，在包含氮化气体的气氛中对所述基板进行热处理，来将吸附于所述基板的所述原料气体热氮化；以及改性工序，将所述基板暴露于氢等离子体中，来将热氮化后的所述原料气体改性。
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公开(公告)号：CN101158032A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710192998.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , H01L21/205 , H01L21/365 , B08B5/00
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605 , Y10S134/902
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
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公开(公告)号：CN1260785C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02811742.5
申请日：2002-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67259 , H01L21/67253 , H01L21/68 , H01L22/20 , Y10S414/135 , Y10S414/136
Abstract: 一种半导体处理的系统(10)包含测定部(40)、信息处理部(51)以及控制部(52)。测定部(40)测定实施过半导体处理的被处理基板(W)上的试验对象膜的特性。信息处理部(51)根据试验对象膜上的多个位置的由测定部(40)测定的特性的值，算出使特性的面内均匀性提高所必要的被处理基板(W)的位置修正量。控制部(52)在为了进行半导体处理而将接下来的被处理基板(W)通过移载装置(30)向支持部件(17)移载时，根据位置修正量控制移载装置(30)的驱动部(30A、32A)。
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公开(公告)号：CN111725050B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010177565.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，是能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间，并且供给氢气；以及第二气体供给部，其设置于所述处理容器内，并且供给氢气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108930026B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201810507177.9
申请日：2018-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 户根川大和
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质。提供一种能够在通过ALD法针对多个被处理基板形成氮化硅膜时降低所形成的氮化硅膜的应力的技术。在通过ALD法针对多个被处理体统一形成氮化硅膜时，在各循环中，在使成膜原料吸附的步骤与氮化的步骤之间实施在处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的步骤，来促进在所形成的氮化硅膜的Si‑N键合，从而降低所形成的氮化硅膜的拉伸应力。
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公开(公告)号：CN1958878B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200610135715.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C30B25/00 , C23C16/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , Y10S438/905
Abstract: 在本发明提供一种半导体处理用成膜装置的使用方法，其决定成膜处理的处理条件。处理条件包括在被处理基板上形成的薄膜的设定膜厚。另外，根据处理条件，决定进行清除处理的定时。定时由成膜处理的反复次数和设定膜厚的乘积而得到的薄膜累积膜厚的阈值所规定。即使反复进行(N)(N是正整数)次成膜处理，累积膜厚也不大于阈值；如果反复进行(N+1)次，则大于阈值。并且，该方法包括：其间不加入清除处理，进行由成膜处理组成的从第一次处理到第(N)次处理的工序；和在第(N)次处理后、并且在由成膜处理组成的(N+1)次处理前，进行清除处理的工序。
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公开(公告)号：CN113053726B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202011477873.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及膜形成方法和系统。[课题]提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序；和，将前述基板用重氢等离子体进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN113053726A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011477873.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及膜形成方法和系统。[课题]提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序；和，将前述基板用重氢等离子体进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN108930026A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810507177.9
申请日：2018-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 户根川大和
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质。提供一种能够在通过ALD法针对多个被处理基板形成氮化硅膜时降低所形成的氮化硅膜的应力的技术。在通过ALD法针对多个被处理体统一形成氮化硅膜时，在各循环中，在使成膜原料吸附的步骤与氮化的步骤之间实施在处理容器内生成氢自由基来进行氢自由基吹扫的步骤，来促进在所形成的氮化硅膜的Si-N键合，从而降低所形成的氮化硅膜的拉伸应力。
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