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公开(公告)号：CN104821348A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510050339.7
申请日：2015-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02645 , C30B25/10 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置。氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序：以350℃～700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜；在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层，而使所述中间层所含有的氮化铝或氧化铝的结晶核分布在该硅基板上；以及以分布在所述硅基板上的所述结晶核为起点，使氮化镓系结晶在所述硅基板上生长。
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公开(公告)号：CN104120405A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410171684.1
申请日：2014-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/54 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/45523
Abstract: 提供成膜装置的清洁方法以及成膜装置。成膜装置的清洁方法具备：第一工序，对处理室的内部以及收容在处理室的内部的部件进行清洁；第二工序，对处理室的内部以及部件各自的下部进行清洁；以及第三工序，对气体供给路径的内部进行清洁。在上述第一工序中，将压力设定为第一压力带，将温度设定为第一温度带，从气体供给路径供给清洁气体，在上述第二工序中，一边将压力设定为比第一压力带高的第二压力带，并使温度上升至比第一温度带高的第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体，在上述第三工序中，一边将压力设定为比第二压力带低的第三压力带，并将温度维持在第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体。
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公开(公告)号：CN114855150A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210102475.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/26 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及碳膜的成膜方法和成膜装置。使用卤素作为催化剂的低温CVD碳成膜工艺中，减少卤素的影响，改善碳膜的生产率和膜质。具备如下工序：向基板供给含碳气体和卤素气体，利用化学气相沉积使碳膜沉积在基板上的工序；和，供给跟构成前述卤素气体的卤素反应的气体，使前述碳膜内所含的前述卤素减少的工序，将使前述碳膜沉积的工序和使前述卤素减少的工序作为1个循环，重复多个循环。
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公开(公告)号：CN104821348B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510050339.7
申请日：2015-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02645 , C30B25/10 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置。氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序:以350℃~700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜;在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层,而使所述中间层所含有的氮化铝或氧化铝的结晶核分布在该硅基板上;以及以分布在所述硅基板上的所述结晶核为起点,使氮化镓系结晶在所述硅基板上生长。
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公开(公告)号：CN102242350B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110126549.1
申请日：2011-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/402
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1氧化气体和第2氧化气体构成的气体，该第1氧化气体由O2气体和O3气体中的至少一种气体构成，该第2氧化气体由H2O气体和H2O2气体中的至少一种气体构成。
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公开(公告)号：CN117888192A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311286795.2
申请日：2023-10-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种抑制硅化镍的聚集的技术。根据本公开的一个方式的成膜方法，具有如下工序：准备表面具有非晶硅膜的基板；向所述非晶硅膜供给镍原料气体，并使镍扩散到所述非晶硅膜中；以及加热所述非晶硅膜，通过以扩散到所述非晶硅膜中的所述镍为核的金属诱导横向结晶化，使所述非晶硅膜结晶化来形成多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN117364056A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310762987.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供一种成膜方法和成膜装置，是能够在制造氮化硅膜时恰当地控制期望的金属的掺杂量的技术。成膜方法用于在基板上形成掺杂了期望的金属的氮化硅膜。该成膜方法包括以下工序：工序(a)，向收容有所述基板的处理容器的内部供给含硅气体；工序(b)，向所述处理容器的内部供给含有所述期望的金属的含金属气体；以及工序(c)，在所述工序(a)进行至少一次并且将所述工序(b)进行至少一次之后，向所述处理容器的内部供给含氮气体。
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公开(公告)号：CN114807898A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210083799.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供：即使基底不同也能孵育时间一致地沉积均匀的氮化硼膜的氮化硼膜的成膜方法和成膜装置。具备如下工序：向设有成膜为氮化硼膜时的孵育时间不同的基底的基板的表面供给氨基硅烷气体以形成晶种层的工序；和，使氮化硼膜在前述晶种层上沉积的工序。
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公开(公告)号：CN102560417A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110433909.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45525
Abstract: 本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为氮化硅膜的晶种的晶种层(步骤2～4)。
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公开(公告)号：CN102242350A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110126549.1
申请日：2011-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/402
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1氧化气体和第2氧化气体构成的气体，该第1氧化气体由O2气体和O3气体中的至少一种气体构成，该第2氧化气体由H2O气体和H2O2气体中的至少一种气体构成。
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