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公开(公告)号：CN104835844B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201410691214.8
申请日：2014-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 马克·S·罗德尔 , 博纳·J·奥布拉多维奇 , 罗伯特·C·鲍
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了鳍式场效应晶体管(finFET)半导体装置及其形成方法。该finFET半导体装置可以包括：绝缘层；底部半导体层，位于绝缘层上；沟道鳍，位于底部半导体层上；源区，位于底部半导体层上并与沟道鳍的第一侧相邻；以及漏区，位于底部半导体层上并与沟道鳍的与第一侧相对的第二侧相邻。
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公开(公告)号：CN109698165A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811221556.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 王伟义 , 马克·S·罗德尔 , 博尔纳·J·奧布拉多维奇
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供一种半导体装置和一种为半导体装置的多个组件提供栅极结构的方法。所述方法包括以下步骤。提供硅酸盐层。在所述硅酸盐层上提供高介电常数层。在所述高介电常数层上提供逸出功金属层。在所述提供高介电常数层之后，执行低温退火。在所述逸出功金属层上提供接触金属层。本公开的方法适用于明显较小的装置。
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公开(公告)号：CN104347716B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201410370711.8
申请日：2014-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种鳍形场效晶体管器件和一种形成鳍形场效晶体管器件的方法，所述鳍形场效晶体管器件可以包括位于鳍形结构中的可以提供用于鳍形场效晶体管器件的沟道区的高迁移率半导体材料。源区/漏区凹进可以邻近于鳍形结构，包括高迁移率半导体材料的成分的渐变组分外延生长的半导体合金材料可以位于源极/漏极凹进中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206191A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711375603.X
申请日：2017-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 帝泰什·拉克西特 , 马克·S·罗德尔
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11556 , G06N3/063
CPC classification number: G06N3/0635 , H01L27/11521 , H01L29/40114 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , H01L29/8083 , H01L27/11551 , G06N3/063 , H01L27/11556
Abstract: 提供一种高密度神经形态计算元件。提供一种用于输入信号的线性组合的模拟计算的用于例如在人工神经元中使用的神经形态装置。神经形态装置提供权重的非易失性编程以及快速评价和编程，并适于作为多个神经形态装置的部分以高密度制造。神经形态装置被实现为具有公共控制栅极接触件(contact)和独立接触的源极‑漏极(SD)区域的闪存类单元的垂直堆叠。单元的垂直堆叠使布局资源能够有效使用。
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公开(公告)号：CN108022873A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711077862.4
申请日：2017-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 王维一 , 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 马克·S·罗德尔 , 帝泰什·拉克西特 , 克里斯·鲍温
IPC: H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：一系列金属布线层以及位于金属布线层中的上金属布线层上的互补成对的平面场效应晶体管(FET)。上金属布线层为M3或比M3更高的层。每个FET包括结晶材料的沟道区。结晶材料可以包括多晶硅。上金属布线层M3或比M3更高的层可以包括钴。
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公开(公告)号：CN107221499A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710168778.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 帝泰什·拉克西特 , 马克·S·罗德尔
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/201 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66522 , H01L27/088 , H01L29/0673 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/42392 , H01L29/517 , H01L29/66795 , H01L29/66856 , H01L29/778 , H01L29/7783 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/7853 , H01L29/66446 , H01L29/1033 , H01L29/78
Abstract: 提供了包括InGaAs沟道的FET装置及其制造方法。根据本发明构思的实施例，制造具有设定的BTBT泄漏电流和最大VDD的FET装置的方法包括：根据BTBT泄漏电流和最大VDD确定InxGa1‑xAs中的x值；利用InxGa1‑xAs形成沟道，其中，x不为0.53。
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公开(公告)号：CN106711120A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610972556.6
申请日：2016-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/535 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L29/0665 , H01L29/785 , H01L23/50 , H01L21/4885
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：基底；电源轨，位于基底上；有源层，位于基底上并与电源轨位于同一层处；以及接触件，将电源轨电连接到有源层。有源层包括源极端子/漏极端子。
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公开(公告)号：CN106057899A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610232111.4
申请日：2016-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 伯纳·J·欧博阿多威 , 罗伯特·克里斯图福·博文 , 缇塔斯·拉克施特 , 王维一 , 马克·S·罗德尔
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L29/0673 , H01L29/1054 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L29/7842
Abstract: 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。
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