公开(公告)号：CN106057899B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201610232111.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伯纳·J·欧博阿多威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  缇塔斯·拉克施特 ,  王维一 ,  马克·S·罗德尔

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。

公开(公告)号：CN105633165B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201510845580.9

申请日：2015-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·凯特尔 ,  伯纳·乔司·奥勃特道威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  马克·S·罗迪尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45

Abstract: 提供了包括异质结的半导体器件、电子器件及其接触结构。所述半导体器件可以包括金属接触件和沟道区，该沟道区具有在半导体器件的操作(导通状态)期间用于沟道区中的多数载流子的第一半导体材料。源/漏区可以包括包含第二半导体材料的半导体材料合金以及位于金属接触件和沟道区之间的至少一个异质结，其中，异质结形成用于多数载流子的能带边缘偏移，该能带边缘偏移小于或等于约0.2eV。

公开(公告)号：CN106057899A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610232111.4

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伯纳·J·欧博阿多威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  缇塔斯·拉克施特 ,  王维一 ,  马克·S·罗德尔

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。

公开(公告)号：CN105633165A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510845580.9

申请日：2015-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·凯特尔 ,  伯纳·乔司·奥勃特道威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  马克·S·罗迪尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45

Abstract: 提供了包括异质结的半导体器件、电子器件及其接触结构。所述半导体器件可以包括金属接触件和沟道区，该沟道区具有在半导体器件的操作(导通状态)期间用于沟道区中的多数载流子的第一半导体材料。源/漏区可以包括包含第二半导体材料的半导体材料合金以及位于金属接触件和沟道区之间的至少一个异质结，其中，异质结形成用于多数载流子的能带边缘偏移，该能带边缘偏移小于或等于约0.2eV。