公开(公告)号：CN108022873B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201711077862.4

申请日：2017-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  马克·S·罗德尔 ,  帝泰什·拉克西特 ,  克里斯·鲍温

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：一系列金属布线层以及位于金属布线层中的上金属布线层上的互补成对的平面场效应晶体管(FET)。上金属布线层为M3或比M3更高的层。每个FET包括结晶材料的沟道区。结晶材料可以包括多晶硅。上金属布线层M3或比M3更高的层可以包括钴。

公开(公告)号：CN108022873A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711077862.4

申请日：2017-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  马克·S·罗德尔 ,  帝泰什·拉克西特 ,  克里斯·鲍温

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：一系列金属布线层以及位于金属布线层中的上金属布线层上的互补成对的平面场效应晶体管(FET)。上金属布线层为M3或比M3更高的层。每个FET包括结晶材料的沟道区。结晶材料可以包括多晶硅。上金属布线层M3或比M3更高的层可以包括钴。