公开(公告)号：CN109698165A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811221556.8

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王伟义 ,  马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·J·奧布拉多维奇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供一种半导体装置和一种为半导体装置的多个组件提供栅极结构的方法。所述方法包括以下步骤。提供硅酸盐层。在所述硅酸盐层上提供高介电常数层。在所述高介电常数层上提供逸出功金属层。在所述提供高介电常数层之后，执行低温退火。在所述逸出功金属层上提供接触金属层。本公开的方法适用于明显较小的装置。

公开(公告)号：CN109698165B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201811221556.8

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王伟义 ,  马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·J·奧布拉多维奇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供一种半导体装置和一种为半导体装置的多个组件提供栅极结构的方法。所述方法包括以下步骤。提供硅酸盐层。在所述硅酸盐层上提供高介电常数层。在所述高介电常数层上提供逸出功金属层。在所述提供高介电常数层之后，执行低温退火。在所述逸出功金属层上提供接触金属层。本公开的方法适用于明显较小的装置。