公开(公告)号：CN104835844A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201410691214.8

申请日：2014-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  博纳·J·奥布拉多维奇 ,  罗伯特·C·鲍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了鳍式场效应晶体管(finFET)半导体装置及其形成方法。该finFET半导体装置可以包括：绝缘层；底部半导体层，位于绝缘层上；沟道鳍，位于底部半导体层上；源区，位于底部半导体层上并与沟道鳍的第一侧相邻；以及漏区，位于底部半导体层上并与沟道鳍的与第一侧相对的第二侧相邻。

公开(公告)号：CN104835844B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201410691214.8

申请日：2014-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·罗德尔 ,  博纳·J·奥布拉多维奇 ,  罗伯特·C·鲍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了鳍式场效应晶体管(finFET)半导体装置及其形成方法。该finFET半导体装置可以包括：绝缘层；底部半导体层，位于绝缘层上；沟道鳍，位于底部半导体层上；源区，位于底部半导体层上并与沟道鳍的第一侧相邻；以及漏区，位于底部半导体层上并与沟道鳍的与第一侧相对的第二侧相邻。