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公开(公告)号：CN210403714U
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201921945449.X
申请日：2019-11-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L25/18
Abstract: 本申请提供了一种功率模块，其包括衬底导电层以及设置在所述衬底导电层上的多个芯片，其中，在所述多个芯片中的至少一个芯片与所述衬底导电层之间设置有导电垫片以使得所述多个芯片的上表面处于同一平面内，芯片之间采用导电片连接。利用该功率模块，增加了与芯片连接点处的结合牢固程度，有利于导电片的加工成型，并且有效缩短了导电片的长度，降低了寄生电感。
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公开(公告)号：CN209708964U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201920882251.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块及电子设备，该功率模块包括基板、设置在基板上的芯片。其中，基板具有相对的第一面及第二面，芯片设置在基板的第一面上。为减小将芯片设置在基板上时基板的变形程度，在基板的第二面设置有槽体，在槽体内填充有填充物，且基板的热膨胀芯片小于填充物的热膨胀系数。在上述的方案中，通过在基板第二面的槽体内填充热膨胀系数较大的填充物，在将芯片设置在基板上时，使基板的翘曲程度降低，从而使基板与散热器之间能够良好的导热连接，提高散热效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209526089U
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201920556887.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中，AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN215815860U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202122374176.1
申请日：2021-09-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的管脚、电子器件及封装模具；其中，所述电子器件的管脚包括：管脚分支和至少一个附加分支；各个所述附加分支均与所述管脚分支相连；且所述管脚分支一部分封装在所述电子器件的封装外壳的外部，所述管脚分支的另一部分以及各个所述附加分支均封装在所述封装外壳的内部。本申请用以解决现有技术中，由于灌封材料与管脚间易分层，导致器件的使用寿命短的问题。
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公开(公告)号：CN214898401U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202023166272.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型公开了一种功率器件全包封结构，包括框架基岛结构、芯片结构、引脚结构和塑封外壳；框架基岛结构的双排框架基岛头部与头部相互连接，双排框架基岛中的任一排框架基岛具有用于容纳芯片的封装槽，以及任一排框架基岛的尾部具有引脚连接孔；芯片结构的两个芯片中的一个芯片位于双排框架基岛中的一排框架基岛的封装槽内；引脚结构包括相互独立的两个引脚子结构，两个引脚子结构分别通过双排框架基岛的引脚连接孔与两个芯片电连接；塑封外壳包覆框架基岛结构和芯片结构的外侧，以及包覆两个引脚子结构分别与两个芯片电连接的一端。该功率器件全包封结构具有无顶针孔，提高生产全包封功率器件结构的效率和良率的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN213212151U
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202022772790.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型涉及功率半导体技术领域，公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括导线框架、芯片、金属桥、绝缘导热装置、散热片、基岛组以及塑封外壳；芯片位于导线框架一侧，金属桥第一端位于芯片背离导线框架的一侧，绝缘导热装置位于金属桥第一端背离芯片的一侧，散热片位于绝缘导热装置背离金属桥第一端的一侧，基岛组包括第一基岛，第一基岛与金属桥第二端电连接，塑封外壳包覆于导线框架、芯片、金属桥、绝缘导热装置、散热片以及基岛组外侧，且导线框架背离芯片的表面和散热片背离芯片的表面裸露于塑封外壳外侧。该半导体封装结构可以实现芯片上下双面散热的效果，能够提升半导体器件的散热能力。
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公开(公告)号：CN212031537U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020184858.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种芯片测试引脚转接机构与芯片测试装置。该转接机构包括转接主体以及压紧单元，转接主体用于固定到测试电路板上，压紧单元设置在转接主体上，用于将芯片引脚压到测试电路板的连接点上。通过压紧单元能够将芯片引脚压到测试电路板的连接点上，其不需要再对芯片引脚进行焊接，就能够实现芯片引脚与连接点之间的电性连接，快速且方便地完成芯片测试。在测试完成后，无需对芯片或者测试电路板进行破坏，就可以实现芯片的拆卸、换装。本实用新型的使用能够保护芯片以及测试电路板，彻底解决了传统测试方式中所存在的会造成设备损坏的问题。
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公开(公告)号：CN211939412U
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202020136353.5
申请日：2020-01-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及加工技术领域，具体而言，涉及一种拆卸结构及拆卸设备，其中拆卸结构包括用于放置在加热装置的基板及可拆卸安装于所述基板熔锡组件，所述熔锡组件具有凹陷部，所述基板开设有用于安装所述熔锡组件的安装槽，所述安装槽开设有多个，多个所述安装槽平行设置，熔锡组件的凹陷部放入导热介质，基板放置于加热装置上，加热装置通过基板将热量从传输至熔锡组件，提高凹陷部内导热介质的温度，将焊接在电路板的元器件引脚放入凹陷部内，使元器件引脚处焊锡熔化，从电路板取下元器件。
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公开(公告)号：CN211824759U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020723097.X
申请日：2020-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种测温装置及测温设备，测温装置包括具有安装空间和用于容纳待检测体的检测空间的外壳，将第一温度检测部件设置在安装空间内，并使第一温度检测部件的检测头朝向检测空间设置，以检测位于检测空间内的待检测体的温度；具体使用时，只需将待检测者的手臂伸入检测空间内即可实现测温，相比较现有技术中的需要检测员一一操作的测温装置，本测温装置能够实现较高的检测效率，即本测温装置能够解决现有技术中的测温装置效率较低的问题。并且，使用本测温装置还避免了检测员和待检测者的近距离靠近，进而在一定程度上降低了感染风险。
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公开(公告)号：CN211824746U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020610689.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及封装领域，公开一种温度传感器及温度检测设备，该温度传感器，包括：基板；位于所述基板顶部的发光芯片；所述基板上形成有与所述发光芯片连接的焊盘组件；与所述焊盘组件同层设置的第一塑封层；用于透过红外线的透明罩固定于所述基板顶部、且罩设在所述发光芯片的外部；包围在所述透明罩四周的第二塑封层，位于基板顶部的发光芯片与在基板上形成的焊盘组件连接，完成发光芯片与基板连接后，对基板进行一次注塑，注塑形成的第一塑封层与焊盘组件同层且厚度相同，在发光芯片的外部罩设有透明罩、且透明罩固定在基板上，透明罩对发光芯片的光进行透光处理，透明罩为只能通过红外光线材质，以达到利用红外光对人体进行检测目的。
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