公开(公告)号：CN112992835B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201911301083.7

申请日：2019-12-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵健康 ,  史波 ,  廖童佳

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制备方法。其中，半导体装置包括半导体组件，半导体组件包括：芯片，包括相对设置的第一侧面和第二侧面，第一侧面设有至少一个电极区和非电极区，至少一个电极区的每个电极区内设有电极；至少一个电极区包括第一电极区；胶膜层，设于非电极区；第一电连接件，包括第一接合部，第一接合部与胶膜层粘接，第一电连接件、第一电极区，以及第一电极区周围的胶膜层共同形成空腔，第一电连接件与空腔相对应的位置设有通孔；以及导电结合件，设于空腔以及通孔内，且将第一电连接件与芯片接合。本发明可缓解导电结合材料的四溢以及空洞或气泡的产生，使芯片与第一电连接件之间的接合更紧密，提高可靠性。

公开(公告)号：CN113540018A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110845683.0

申请日：2021-07-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 赵健康 ,  史波 ,  廖勇波 ,  江伟

IPC: H01L23/498

Abstract: 涉及功率半导体器件封装技术领域，本发明提供了一种功率模块，包括绝缘基板、焊盘以及芯片；所述绝缘基板包括相互背离的第一表面以及第二表面，所述第二表面用于对接于散热器，所述第一表面开设有用于装配所述焊盘的连接槽；所述焊盘包括第一端面、侧面以及第二端面，所述第二端面对接于所述连接槽的底壁，所述侧面对接于所述连接槽的侧壁，所述第一端面供所述芯片焊接连接；相比于传统的用于绝缘的矽胶片，本发明提供的所述绝缘基板具有优秀的耐磨性，其能够解决因为矽胶片磨损而导致元器件和散热器短路的问题。

公开(公告)号：CN112992835A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911301083.7

申请日：2019-12-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵健康 ,  史波 ,  廖童佳

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制备方法。其中，半导体装置包括半导体组件，半导体组件包括：芯片，包括相对设置的第一侧面和第二侧面，第一侧面设有至少一个电极区和非电极区，至少一个电极区的每个电极区内设有电极；至少一个电极区包括第一电极区；胶膜层，设于非电极区；第一电连接件，包括第一接合部，第一接合部与胶膜层粘接，第一电连接件、第一电极区，以及第一电极区周围的胶膜层共同形成空腔，第一电连接件与空腔相对应的位置设有通孔；以及导电结合件，设于空腔以及通孔内，且将第一电连接件与芯片接合。本发明可缓解导电结合材料的四溢以及空洞或气泡的产生，使芯片与第一电连接件之间的接合更紧密，提高可靠性。

公开(公告)号：CN216054693U

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202121710191.2

申请日：2021-07-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 赵健康 ,  史波 ,  廖勇波 ,  江伟

IPC: H01L23/498

Abstract: 涉及功率半导体器件封装技术领域，本实用新型提供了一种功率模块和功率器件，所述功率模块包括绝缘基板、焊盘以及芯片；所述绝缘基板包括相互背离的第一表面以及第二表面，所述第二表面用于对接于散热器，所述第一表面开设有用于装配所述焊盘的连接槽；所述焊盘包括第一端面、侧面以及第二端面，所述第二端面对接于所述连接槽的底壁，所述侧面对接于所述连接槽的侧壁，所述第一端面供所述芯片焊接连接；所述功率器件包括所述功率模块；相比于传统的用于绝缘的矽胶片，本实用新型提供的所述绝缘基板具有优秀的耐磨性，其能够解决因为矽胶片磨损而导致元器件和散热器短路的问题。

公开(公告)号：CN212033002U

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202020379927.1

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵健康 ,  史波 ,  江伟 ,  廖童佳

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

Abstract: 本实用新型提供了一种QFN封装导热焊盘，其包括焊盘部，所述焊盘部上设置有若干凹槽，至少部分的所述凹槽相互交叉。本实用新型还提供了一种具有上述导热焊盘的QFN封装结构，本实用新型的QFN封装导热焊盘及具有其的QFN封装结构，在焊盘部设置有凹槽，该凹槽能够为回流焊过程中助焊剂分解气体提供了有效的逸出通道，降低散热焊盘的焊点空洞问题。

公开(公告)号：CN213212151U

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202022772790.9

申请日：2020-11-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 赵健康 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 本实用新型涉及功率半导体技术领域，公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括导线框架、芯片、金属桥、绝缘导热装置、散热片、基岛组以及塑封外壳；芯片位于导线框架一侧，金属桥第一端位于芯片背离导线框架的一侧，绝缘导热装置位于金属桥第一端背离芯片的一侧，散热片位于绝缘导热装置背离金属桥第一端的一侧，基岛组包括第一基岛，第一基岛与金属桥第二端电连接，塑封外壳包覆于导线框架、芯片、金属桥、绝缘导热装置、散热片以及基岛组外侧，且导线框架背离芯片的表面和散热片背离芯片的表面裸露于塑封外壳外侧。该半导体封装结构可以实现芯片上下双面散热的效果，能够提升半导体器件的散热能力。