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公开(公告)号：CN112876237A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110256160.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种烧结过渡金属高熵陶瓷氧化物复合材料的制备方法，涉及高熵陶瓷材料技术领域。包括以下步骤：S1、分别称取MgO、CoO、NiO、CuO、ZnO粉体原料，均匀混合后，获得混合粉体；S2、对S1获得的混合粉体预压制坯后，于900～1300℃烧结0.5～1.5h，所述烧结采用微波进行烧结。即得(MgCoNiCuZn)O高熵陶瓷氧化物复合材料。本发明提供的制备方法制得(MgCoNiCuZn)O高熵陶瓷氧化物复合材料，有效的降低了(MgCoNiCuZn)O高熵陶瓷氧化物的合成成本，提高了合成效率。
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公开(公告)号：CN110745827A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810821990.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/963
Abstract: 本发明涉及一种二维片状SiC材料的制备方法，属于微波合成技术领域。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，包括以下步骤：1)将主要由溶胶和膨胀碳材料组成的分散体系进行凝胶化处理，得到前驱体凝胶；所述溶胶为硅溶胶或由硅源经过水解、缩合得到；2)将所得的前驱体凝胶进行干燥，得到复合粉体；3)将所得的复合粉体进行反应烧成，即得。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，以膨胀碳材料作为碳源，分散体系中的硅溶胶颗粒分布于膨胀碳材料的片层状结构表面，也呈片状分布，经过烧成反应后，即可得到具有纳米片状结构的二维片状的SiC材料，具有比表面积更大、更易分散的优点，并且层状结构能够改善其在复合材料的界面润湿性。
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公开(公告)号：CN106082228B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610407347.7
申请日：2016-06-12
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/991 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种B4C纳米片的制备方法及B4C纳米片，该制备方法包括：1)取硼酸、煤粉与碳酸钠或碳酸氢钠进行球磨得混合粉体；碳酸钠或碳酸氢钠的加入质量为硼酸、煤粉总质量的3％～10％；2)将所得混合粉体预压成型后经冷等静压得片状物；3)将所得片状物埋入石英砂中进行微波烧结，即得。该制备方法将硼酸、煤粉与碳酸钠或碳酸氢钠球磨混合，经预压成型和冷等静压后再微波烧结，利用碳优良的吸波性能，微波烧结时气体的等离子效应，实现了B4C纳米片的快速合成；所得B4C纳米片结晶度好，厚度小，产率及纯度高；烧结时间短，烧结温度低，节省了大量能源；工艺简单，操作方便，适合工业化快速生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104328478B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410401688.4
申请日：2014-08-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本发明的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117550818A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310054840.5
申请日：2023-02-03
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B7/44
Abstract: 本发明属于微波烧结水泥熟料生产技术领域，具体涉及一种微波规模化制备的水泥熟料及其制备方法。制备方法包括以下步骤：以CaCO3粉体、SiO2粉体为制备原料，加入烧结助剂混合处理均匀，获得混合粉体；将混合粉体预压制成胚体，于1000～1500℃下微波烧结得到水泥熟料。本发明提供了一种微波规模化制备水泥熟料的方法，有效的降低了传统水泥熟料的矿物材料的合成成本，提高了合成效率，烧结方法时间短、产率高、重复性好，且规模化制备的成本低，特别适合产业化、规模化的生产需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116789136A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310054850.9
申请日：2023-02-03
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/97
Abstract: 本发明属于SiC材料技术领域，具体涉及一种规模化微波制备的碳化硅及其制备方法。制备方法包括以下步骤：以碳源和硅源为制备原料，球磨制成前驱体；将前驱体预压制成胚体，胚体埋入石英砂中，于850～950℃下微波烧结得到碳化硅。本发明提供了一种微波规模化制备水泥熟料的方法，微波烧结烧结时间短，同时在封闭的腔体内烧结，使得反应产生的气体无法排除，进一步加剧了升温现象，反应生成的碳化硅沉积在前驱体所在的区域，新形成的碳化硅颗粒吸收微波形成新的热源，使反应更加充分，提高了合成效率，可以应用于工业化大规模生产，有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113718370B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111073327.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料制备技术领域，具体涉及一种中空碳化硅纤维的制备方法。通过调节碳源、硅源及磁性金属催化剂的配比，控制微波烧结的条件，可得到多种不同形貌的中空碳化硅纤维。发明采用微波烧结的方式，在磁性催化剂的作用下，制得具有中空结构的SiC纤维；于本申请中，采用微波烧结的方式，实现材料整体性加热、内外受热均匀、烧结效率高、速率快、缩短制备时间、提高能源利用效率，且制得了孔径尺寸分布均匀、纯度高且长径比大的中空碳化硅纤维。
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公开(公告)号：CN115582547A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN115231572A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210854756.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/921 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域，具体涉及一种纳米碳化钛粉体的制备方法。本发明以钛酸四丁酯及碳源为原料制得混合粉体，再通过埋覆微波透过材料以隔绝空气，并在烧结过程中通过SiO2的熔融形成壳结构，保护合成的碳化钛粉体在高温下不被氧化；采用微波烧结的方式制备出高纯的纳米碳化钛粉体，且实现了降低烧结温度、缩短制备时间、制备粒径小且粒径分布均匀的TiC粉体目的。
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公开(公告)号：CN115092940A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210780727.0
申请日：2022-07-04
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于水泥基建材料技术领域，公开一种硅酸三钙粉体的制备方法，包括以下步骤：以CaCO3粉体、SiO2粉体为制备原料，经混合处理，获得组分均匀的混合粉体；将获得的混合粉体预压制坯，获得坯料；将获得的坯料于1200～1500℃的温度下烧结处理0.5～1.5h，即获得硅酸三钙；所述烧结处理采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结。本发明采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结制备硅酸三钙，利用微波和微波耦合外热源的共同作用可实现坯体内外的快速烧结，混合加热机制在低温下使样品更容易加热，而在高温下可保证样品稳定加热，有效的降低了硅酸三钙的合成时间与合成温度，提高了合成纯度与效率。
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