公开(公告)号：CN104328478B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410401688.4

申请日：2014-08-14

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  范冰冰 ,  邵刚 ,  郭晓琴 ,  解亚军 ,  宋勃震 ,  管可可 ,  吴昊 ,  张亮

IPC: C30B1/10 ,  C30B29/36 ,  C30B29/62

Abstract: 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本发明的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN104328478A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410401688.4

申请日：2014-08-14

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  范冰冰 ,  邵刚 ,  郭晓琴 ,  解亚军 ,  宋勃震 ,  管可可 ,  吴昊 ,  张亮

IPC: C30B1/10 ,  C30B29/36 ,  C30B29/62

Abstract: 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本发明的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。