公开(公告)号：CN110745827A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201810821990.3

申请日：2018-07-24

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  赵彪 ,  高前程 ,  董陈江 ,  樊磊 ,  宋勃震 ,  张瑜萍 ,  白中义 ,  李春光 ,  郭晓琴 ,  范冰冰

IPC: C01B32/963

Abstract: 本发明涉及一种二维片状SiC材料的制备方法，属于微波合成技术领域。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，包括以下步骤：1)将主要由溶胶和膨胀碳材料组成的分散体系进行凝胶化处理，得到前驱体凝胶；所述溶胶为硅溶胶或由硅源经过水解、缩合得到；2)将所得的前驱体凝胶进行干燥，得到复合粉体；3)将所得的复合粉体进行反应烧成，即得。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，以膨胀碳材料作为碳源，分散体系中的硅溶胶颗粒分布于膨胀碳材料的片层状结构表面，也呈片状分布，经过烧成反应后，即可得到具有纳米片状结构的二维片状的SiC材料，具有比表面积更大、更易分散的优点，并且层状结构能够改善其在复合材料的界面润湿性。

公开(公告)号：CN110745827B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN201810821990.3

申请日：2018-07-24

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  赵彪 ,  高前程 ,  董陈江 ,  樊磊 ,  宋勃震 ,  张瑜萍 ,  白中义 ,  李春光 ,  郭晓琴 ,  范冰冰

IPC: C01B32/963

Abstract: 本发明涉及一种二维片状SiC材料的制备方法，属于微波合成技术领域。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，包括以下步骤：1)将主要由溶胶和膨胀碳材料组成的分散体系进行凝胶化处理，得到前驱体凝胶；所述溶胶为硅溶胶或由硅源经过水解、缩合得到；2)将所得的前驱体凝胶进行干燥，得到复合粉体；3)将所得的复合粉体进行反应烧成，即得。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，以膨胀碳材料作为碳源，分散体系中的硅溶胶颗粒分布于膨胀碳材料的片层状结构表面，也呈片状分布，经过烧成反应后，即可得到具有纳米片状结构的二维片状的SiC材料，具有比表面积更大、更易分散的优点，并且层状结构能够改善其在复合材料的界面润湿性。

公开(公告)号：CN110387583A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201810350547.2

申请日：2018-04-18

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  赵彪 ,  樊磊 ,  张瑜萍 ,  范冰冰 ,  高前程 ,  白中义 ,  陈雷明 ,  李春光 ,  郭晓琴

IPC: C30B29/62 ,  C30B29/36 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明涉及一种利用界面反应制备SiC晶须的方法及SiC晶须，属于高性能陶瓷材料的制备技术领域。本发明的利用界面反应制备SiC晶须的方法，包括以下步骤：1)按照碳与硅的摩尔比为1.5～3:1取硅源、碳源与硼酸混合制备二氧化硅-碳-硼酸前驱体；所述硅源为硅酸酯或二氧化硅，所述碳源为活性炭或煤炭；2)将所得的二氧化硅-碳-硼酸前驱体压制成片后埋入石英砂中进行微波烧结，然后除去表面包裹的石英砂，之后采用氢氟酸清洗，即得。本发明的方法能够充分利用活性炭的吸附性能形成良好的核壳结构，采用硼酸调节前驱体pH及B2O3可以加速反应的进行，微波作用可以充分利用微波烧结的耦合热效应实现SiC晶须的快速合成。