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公开(公告)号:CN101355064A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810134324.9
申请日:2008-07-24
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/544 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54426 , H01L2223/5448 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , Y10T29/49146
Abstract: 本发明提供一种通路的位置精度高,高成品率,可靠性出色的半导体芯片内置于绝缘层等中的半导体装置及其制造方法。其具有:其上形成了外部连接用焊盘(23)和通路形成用的定位记号(22)的半导体芯片(20);具有多个通路(14)的以非感光性树脂为成分的绝缘层(12);以及通过通路(14)而与外部连接用焊盘(23)电连接并且至少有一部分在绝缘层(12)上面形成的布线(15)。绝缘层(12)在定位记号(23)上面的部分上形成了凹部(13)。凹部(13)的底面只是绝缘层(12)。
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公开(公告)号:CN100394593C
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200510084420.3
申请日:2005-07-15
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/3114 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件,其中,包括第一布线层和第一绝缘层的微细布线结构部分,形成在半导体衬底上,其中每一第一布线层和每一第一绝缘层都被交替地层压。第一巨型布线结构部分形成在微细布线结构部分上,并且第一巨型布线结构部分是这样形成的,通过以下面的顺序在微细布线结构部分上相继地形成第一巨型布线部分,其包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第二布线层和第二绝缘层,其中每一第二布线层和每一第二绝缘层被交替地层压;第二巨型布线结构部分,包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第三布线层和第三绝缘层,其中第三绝缘层在25℃时的弹性模量不大于第二绝缘层在25℃时的弹性模量,每一第三布线层和每一第三绝缘层都被交替地层压。
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公开(公告)号:CN1949952A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200610132159.4
申请日:2006-10-12
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H05K1/16 , H05K3/46 , H05K3/00 , H01L23/498 , H05K1/11
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H05K3/0023 , H05K3/205 , H05K3/4007 , H05K3/4644 , H05K2201/0367 , H05K2203/0733 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种多层配线板,具有:设置在第一表面和第二表面上的电极、交替地被层压的绝缘层和配线层、以及设置在绝缘层中且与配线层电连接的通孔。将设置在第二表面的第二电极嵌入暴露在所述第二表面的绝缘层中,且有暴露在所述第二表面的绝缘层所覆盖的第二配线层并不具有用于改善与绝缘层的粘着性的层。
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公开(公告)号:CN1722429A
公开(公告)日:2006-01-18
申请号:CN200510084420.3
申请日:2005-07-15
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/3114 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件,其中,包括第一布线层和第一绝缘层的微细布线结构部分,形成在半导体衬底上,其中每一第一布线层和每一第一绝缘层都被交替地层压。第一巨型布线结构部分形成在微细布线结构部分上,并且第一巨型布线结构部分是这样形成的,通过以下面的顺序在微细布线结构部分上相继地形成第一巨型布线部分,其包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第二布线层和第二绝缘层,其中每一第二布线层和每一第二绝缘层被交替地层压;第二巨型布线结构部分,包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第三布线层和第三绝缘层,其中第三绝缘层在25℃时的弹性模量不大于第二绝缘层在25℃时的弹性模量,每一第三布线层和每一第三绝缘层都被交替地层压。
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公开(公告)号:CN101106121B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200710136413.2
申请日:2007-07-16
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4846 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H05K3/205 , H05K3/4644 , H05K2201/09018 , H05K2201/09481 , H05K2201/09781 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种布线基板,包括基底绝缘膜、在基底绝缘膜的顶部表面侧上形成的第一互连、在基底绝缘膜中形成的通孔中提供的通孔导体、以及在基底绝缘膜的底部表面侧上形成的第二互连,该第二互连经由通孔导体连接到第一互连。布线基板包括分开的基板单元区域,在每个基板单元区域中形成第一互连、通孔导体和第二互连。布线基板包括基底绝缘膜上的扭曲控制图案,并且具有扭曲形状,由此当使布线基板静止在水平板上时,至少基板的平面表面的每个边的中心部分与水平板接触并且该边的两个端部被升起,其中每个边沿垂直于基板的平面表面中的第一方向的第二方向延伸。
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公开(公告)号:CN101507373A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200780031703.9
申请日:2007-06-29
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
CPC classification number: H05K3/205 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L23/498 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48472 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H05K3/244 , H05K3/423 , H05K2201/0338 , H05K2201/098 , H05K2201/09845 , H05K2203/0376 , H05K2203/0384 , H05K2203/0733 , H05K2203/1476 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种布线板,具有:绝缘层,以使其被绝缘层相互绝缘的方式形成的多个布线层,以及在绝缘层中形成以连接布线层的多个通道。在布线层当中,在绝缘层一个表面内形成的表面布线层包括从那个表面暴露的第一金属膜,和嵌入绝缘层并堆叠在第一金属膜上的第二金属膜。第一金属膜的边缘在第二金属膜的扩展方向上从第二金属膜的边缘凸出。如此设计嵌入绝缘层的布线层的形状,可以获得高可靠性的布线板,该布线板可以有效地防止制造过程中的侧蚀刻,并能适合于小型化和高致密度的布线封装。
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公开(公告)号:CN100452382C
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200610132162.6
申请日:2006-10-12
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/6835 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/81801 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体器件包括:平板状的配线板;第一LSI,设置在配线板的一个表面上;密封树脂,用于覆盖第一半导体器件的一个表面和侧面;以及第二LSI,设置在配线板的另一表面上。配线板具有:导体配线,作为配线层;绝缘树脂,作为用于支持配线层的支持层;以及导体通孔,贯通配线层和支持层。在设置于从上垂直俯视时、半导体元件的外围边缘横穿焊接区的内部的所在位置处的焊接区,与焊接区所在的相同平面上形成的配线层之间的连接点,朝向配线板的一侧不均匀地分布因此,可以针对非常微细的配线进行连接,可以非常密集地连接多个半导体元件。
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公开(公告)号:CN100438007C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200610006815.6
申请日:2006-02-07
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/205 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511 , H05K1/113 , H05K3/107 , H05K3/4682 , H05K2201/09472 , H05K2201/096 , H05K2203/0384 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种互连衬底具有:基底绝缘膜,在其下表面中具有凹陷部;位于凹陷部中的第一互连;形成在基底绝缘膜中的通路孔;以及第二互连,其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上,其中互连衬底包括:由第一互连形成的第一互连图形,其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形;以及翘曲控制图形,其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中,并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
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公开(公告)号:CN1949500A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200610132164.5
申请日:2006-10-12
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/6835 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2221/68345 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K3/20 , H05K3/28 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , H05K2201/09881 , H05K2201/0989 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种配线板,包括:上面布置了第一电极的第一表面和上面布置了第二电极的第二表面;至少单一绝缘层和至少单一配线层;以及一个或多个安装的半导体元件,其中布置在第二表面上的第二电极嵌入绝缘层中,第二电极暴露于第二表面侧的面的相反侧表面连接到配线层,并且第二电极的侧面的全部或部分不与绝缘层接触。
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公开(公告)号:CN104241257A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410247229.5
申请日:2014-06-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065
Abstract: 本发明涉及半导体器件,防止具有共同布置在特定区域中的直通硅通孔的半导体芯片的基板破裂。当与第一半导体芯片的长边平行的方向被定义为行方向并且与第一半导体芯片的长边垂直的方向被定义为列方向时,第一硅通孔中的每一个被布置在网格点的任一个上,该网格点被布置成m行和n列(m>n)。此外,如在沿着第一半导体芯片的短边所述的横截面上所观察到的那样,通过耦接被布置在m行和n列中的最外面的网格点而定义的直通硅通孔区域的中心在第一方向上偏离于第一半导体芯片的短边的中心。
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