公开(公告)号：CN112242359A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201910639479.6

申请日：2019-07-16

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  陈道坤 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种芯片封装结构及芯片封装方法，其中的芯片封装结构包括：芯片本体、绝缘胶膜、绝缘覆盖层和电极引出部件；其中，绝缘胶膜覆盖于芯片本体的底面，绝缘覆盖层覆盖于芯片本体顶面，绝缘胶膜和绝缘覆盖层配合以包裹芯片本体；芯片本体顶面具有电极，电极引出部件的一端与电极电连接、另一端延伸至绝缘覆盖层外。上述芯片封装结构，可以有效减少芯片封装后的体积，同时提高封装效率。

公开(公告)号：CN111081671A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201811222128.7

申请日：2018-10-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曹俊 ,  敖利波 ,  江伟 ,  梁赛嫦

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种低应力半导体芯片固定结构、半导体器件及其制造方法，包括芯片、引线框架、导电结合件、陶瓷基板，所述引线框架包括芯片座，芯片座用于承载固定陶瓷基板，陶瓷基板用于固定芯片，包括陶瓷层和金属层，所述陶瓷层面通过导电结合件固定在芯片座上，所述金属层面通过导电结合件与芯片连接。本发明在引线框架上设置陶瓷基板，陶瓷基板包括陶瓷层和金属层，陶瓷层面与引线框架芯片座接触、通过导电结合件将陶瓷基板固定在芯片座上，并将金属层面与芯片连接，利用陶瓷的高机械强度、低热膨胀系数缓冲芯片应力，芯片不易出现翘曲、损坏，提高半导体器件封装良率及可靠性，提高了半导体器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN113394114B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202010164755.0

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  曹俊 ,  马颖江

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H10D80/30

Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。

公开(公告)号：CN110828388B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201810910248.X

申请日：2018-08-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  梁赛嫦

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN113140456B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010060417.2

申请日：2020-01-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  江伟 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L29/739

Abstract: 涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。

公开(公告)号：CN112582386B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910925754.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  童圣双 ,  曾丹 ,  江伟

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。

公开(公告)号：CN113889450A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111093438.5

申请日：2021-09-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 秦明柳谦 ,  史波 ,  江伟 ,  杨景城 ,  黄玲 ,  杨巧莹

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/607

Abstract: 本发明涉及一种芯片贴装结构及方法。该芯片贴装结构包括：芯片；以及，键合线，连接于所述芯片，所述键合线包括相互连接的铜线和铝线；该芯片贴装方法，包括以下步骤：准备通过铝线和铜线制成的键合线；准备芯片；将芯片与键合线连接。本发明的铝线可以增强键合质量，铜线可以提升可靠性与导电性，且通过铝线和铜线制成的键合线抗剪强度高于单个铝线。

公开(公告)号：CN112993006A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911276730.3

申请日：2019-12-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  曾丹 ,  江伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及电力电子器件技术领域，特别涉及一种终端结构、其制作方法及电子器件，其中，终端结构包括衬底，衬底具有主结原胞区和终端区，终端区包括靠近主结原胞区的过渡区和位于过渡区远离主结原胞区一侧的截止环；其中，衬底在位于过渡区与截止环之间的部位具有至少一个沟槽，终端区内形成有电容场板，电容场板覆盖各沟槽的侧面。本申请公开的终端结构，能够降低终端结构的面积占比，从而降低芯片的制造成本。

公开(公告)号：CN112786460A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911090219.4

申请日：2019-11-08

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  廖童佳 ,  王华辉

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明涉及一种芯片的封装方法及芯片封装模块。该芯片的封装方法包括以下步骤：提供第一芯片，所述第一芯片的表面设有至少一个电极；在所述第一芯片的正面形成胶膜，且在所述电极对应的所述胶膜上开设有电极开口，以在所述电极开口处形成电极槽；在其中至少一个所述电极槽内装设第二芯片，并在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成中间电极；在所述第一芯片的背面和侧面形成密封层。利用该封装方法能够解决现有技术中多芯片封装时封装壳体的封装面积较大，且不同芯片依靠导线连接时芯片杂散电感大的问题，达到减小封装体积和降低杂散电感的目的。

公开(公告)号：CN112635429A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201910951437.6

申请日：2019-10-08

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  王华辉 ,  陈治中

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明涉及电子电器技术领域，具体涉及一种功率器件及其基板。该基板包括绝缘部、导热部、第一导电部和第二导电部，所述绝缘部沿自身厚度方向相对的两侧中，一侧连接有所述导热部，另一侧连接有所述第一导电部和所述第二导电部，所述第一导电部和所述第二导电部之间具有绝缘间隔；所述绝缘部位于所述绝缘间隔的部分处设置有沉槽，所述沉槽自所述绝缘部的表面向所述导热部所在的方向延伸。本发明所提供的基板即便尺寸相对较小，其绝缘可靠性也相对较高，安全隐患相对较小。