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公开(公告)号：CN106987814A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710248921.3
申请日：2017-04-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/0036 , C23C14/083 , C23C14/5806 , C23C14/5813
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计的氧化钛热敏薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：对待沉积氧化钛薄膜的晶圆进行清洁处理；步骤2：提供一真空腔体，该真空腔体内具有钛靶材和待沉积氧化钛的晶圆，所述晶圆的衬底温度控制在10～200℃；步骤3：调整真空腔体的温度，使其温度控制在10～100℃，同时通入氩气和氧气，其中氧气占总气体的比例不低于0.5％，且低于10％，总气体流量保持在50～150sccm；步骤4：预溅射钛靶材5～10min，去除钛靶材表面的氧化层；步骤5：进行反应溅射，使用离子束轰击钛靶材，使钛溅射到晶圆表面，钛和真空腔体中的氧气或氧离子反应，生成氧化钛薄膜；步骤6：退火处理。
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公开(公告)号：CN106276781A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610803895.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B7/02 , B81C1/00531 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计参考像元的制备方法及其结构，该方法包括：制备金属反射层；在金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层；在金属反射层上制备通孔；在第一支撑层上依次制备电极层和电极保护层、热敏层、热敏保护层和第一释放保护层，或，在第一支撑层上依次制备热敏层、热敏保护层、电极层、电极保护层和第一释放保护层；在第一释放保护层上制备第二牺牲层和第二释放保护层，得到参考像元的结构。本发明通过上述方法制作出的参考像元结构，可以使参考像元对接收到的辐射响应降低，提升微测辐射热计的高低温性能，并能降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。
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公开(公告)号：CN106219480A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610532815.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B7/0009 , B81C1/00095 , B81C1/00476
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法，涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后，解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题，以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题，并解决了器件像元缩小后，尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导，确保器件性能不降低的问题，并采用蜂窝状结构，增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽，反射层位于介质层中部凹槽的上表面，反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层，且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作，有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。
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公开(公告)号：CN106124066A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610410719.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种高填充因子的微测辐射热计及制备方法，在微测热辐射计的读出电路(1)上制作金属反射层(2)、绝缘介质层(3)、牺牲层(4)、支撑层(5)、金属电极层(6)、热敏层(8)、钝化层(9)之后，结合化学机械抛光、钨柱塞或者物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积等技术制备高深宽比的电学连接结构，减小电学连接结构的面积，增大微测辐射热计的填充因子。基于微测辐射热计的红外或太赫兹探测器都是由大面阵的阵列微测辐射热计组成的，通过减小接触孔的面积，可以有效的提升填充因子，同时提升探测器的性能。使用该结构，可以在未来设计制作更小像元的微测辐射热计时成比例的缩小像元尺寸，而不会增加工艺的难度。
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公开(公告)号：CN109824008B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111896120A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010801748.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/10
Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法，包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层，第二悬空层包括第二支撑层和线栅层；线栅层包括多个超像元区域，每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域，第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域，每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同，且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下，保证工作视场不受影响。
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公开(公告)号：CN109932064B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910232823.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器的制备方法，包括以下步骤：A)将红外焦平面阵列探测器的窗口依次采用丙酮和工作液进行清洗；B)将清洗后的红外焦平面阵列探测器的窗口在真空条件下，通入氩气，进行射频等离子清洗；C)再通入碳源气体，采用射频等离子增强化学气相沉积方法在红外焦平面阵列探测器的窗口的表面沉积DLC保护膜，得到具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器；所述步骤C)的射频功率为100～2500W，所述步骤C)的真空度为3×10‑3～3×10‑5Pa。本发明还提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器。
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公开(公告)号：CN108507685B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810204953.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括基底、金属反射层、微桥结构和超材料结构；微桥结构由下至上包括第一支撑层、热敏薄膜层、电极层和钝化层，热敏薄膜层通过电极层与金属反射层电连接；超材料结构包括第二支撑层、金属层、种子层和石墨烯薄膜层，第二支撑层设置于钝化层表面，第二支撑层上形成有金属层，金属层上形成有种子层，种子层表面生长形成石墨烯薄膜层。本发明的石墨烯探测器，采用CVD直接生长石墨烯作为探测器的超材料层，显著提高了探测器的光学吸收率和响应率，优化了器件性能，且制备工艺简单，避免了转移过程中对石墨烯薄膜的损伤。
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公开(公告)号：CN108917942B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811124163.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的制备方法，所制备而成的非制冷红外探测器同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN110797315A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911076433.4
申请日：2019-11-06
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了晶圆级封装分割方法，包括获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，器件层晶圆具有多个第二分割凹槽、读出电路和多个微桥结构；研磨窗口层晶圆，直至窗口层晶圆的厚度等于或小于第一分割凹槽的深度；通过读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的第一分割凹槽和第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；研磨填充后预处理晶圆的器件层晶圆，直至器件层晶圆的厚度等于或小于第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；去除预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件，提高晶圆级封装器件的良率和生产效率，降低成本。
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