公开(公告)号：CN108507685A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810204953.8

申请日：2018-03-13

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 王鹏 ,  王杰 ,  孙丰沛 ,  陈文礼 ,  王宏臣

IPC: G01J5/20 ,  G01J5/00 ,  H01L31/09 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括基底、金属反射层、微桥结构和超材料结构；微桥结构由下至上包括第一支撑层、热敏薄膜层、电极层和钝化层，热敏薄膜层通过电极层与金属反射层电连接；超材料结构包括第二支撑层、金属层、种子层和石墨烯薄膜层，第二支撑层设置于钝化层表面，第二支撑层上形成有金属层，金属层上形成有种子层，种子层表面生长形成石墨烯薄膜层。本发明的石墨烯探测器，采用CVD直接生长石墨烯作为探测器的超材料层，显著提高了探测器的光学吸收率和响应率，优化了器件性能，且制备工艺简单，避免了转移过程中对石墨烯薄膜的损伤。

公开(公告)号：CN108507685B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810204953.8

申请日：2018-03-13

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 王鹏 ,  王杰 ,  孙丰沛 ,  陈文礼 ,  王宏臣

IPC: G01J5/20 ,  G01J5/00 ,  H01L31/09 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括基底、金属反射层、微桥结构和超材料结构；微桥结构由下至上包括第一支撑层、热敏薄膜层、电极层和钝化层，热敏薄膜层通过电极层与金属反射层电连接；超材料结构包括第二支撑层、金属层、种子层和石墨烯薄膜层，第二支撑层设置于钝化层表面，第二支撑层上形成有金属层，金属层上形成有种子层，种子层表面生长形成石墨烯薄膜层。本发明的石墨烯探测器，采用CVD直接生长石墨烯作为探测器的超材料层，显著提高了探测器的光学吸收率和响应率，优化了器件性能，且制备工艺简单，避免了转移过程中对石墨烯薄膜的损伤。