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公开(公告)号：CN110467151A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910832255.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种MEMS晶圆封装设备，包括MEMS晶圆处理腔、窗口处理腔、对准腔、键合腔及机械臂；所述MEMS晶圆处理腔、所述窗口处理腔、所述对准腔、所述键合腔为真空腔体；所述真空腔体之间通过真空管道相连接；所述机械臂设置于所述MEMS晶圆处理腔与所述窗口处理腔之间，用于将经过所述MEMS晶圆处理腔处理后的MEMS晶圆与经过所述窗口处理腔处理后的窗口晶圆运送至所述对准腔进行对准，得到MEMS待键合晶圆；所述机械臂设置于所述MEMS晶圆处理腔与所述窗口处理腔之间的真空腔体中。本申请避免了上述步骤中对MEMS功能区的污染、损伤及静电击穿，此外，由于所述设备内部处于真空，提高了封装质量。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的MEMS晶圆封装方法。
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公开(公告)号：CN109932064A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910232823.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器的制备方法，包括以下步骤：A)将红外焦平面阵列探测器的窗口依次采用丙酮和工作液进行清洗；B)将清洗后的红外焦平面阵列探测器的窗口在真空条件下，通入氩气，进行射频等离子清洗；C)再通入碳源气体，采用射频等离子增强化学气相沉积方法在红外焦平面阵列探测器的窗口的表面沉积DLC保护膜，得到具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器；所述步骤C)的射频功率为100～2500W，所述步骤C)的真空度为3×10-3～3×10-5Pa。本发明还提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器。
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公开(公告)号：CN109873004A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910155913.3
申请日：2019-03-01
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种红外成像探测元件，所述红外成像探测元件包括红外成像探测器与探测器载体；所述红外成像探测器设置在所述探测器载体内部；所述红外成像探测器为通过晶圆级封装得到的红外成像探测器；所述红外成像探测器的I/O端口与所述探测器载体的导电区域通过引线一一对应连接；所述引线为直引线；所述导电区域的一部分位于所述探测器载体的底部。本发明通过直引线将晶圆级封装(WLP)技术得到的红外成像探测器与所述探测器载体相连接，避免了引线在连接过程中的弯折，降低了连接难度，提高了生产效率，延长了使用寿命，同时降低了空间占用，更抗冲击。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的红外成像探测元件的制作方法及一种红外探测仪。
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公开(公告)号：CN109824008B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109932064B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910232823.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器的制备方法，包括以下步骤：A)将红外焦平面阵列探测器的窗口依次采用丙酮和工作液进行清洗；B)将清洗后的红外焦平面阵列探测器的窗口在真空条件下，通入氩气，进行射频等离子清洗；C)再通入碳源气体，采用射频等离子增强化学气相沉积方法在红外焦平面阵列探测器的窗口的表面沉积DLC保护膜，得到具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器；所述步骤C)的射频功率为100～2500W，所述步骤C)的真空度为3×10‑3～3×10‑5Pa。本发明还提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器。
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公开(公告)号：CN110534446B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910849806.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆级封装测试的方法，会先在窗口晶圆朝向芯片一侧表面设置划片道，并在将窗口晶圆与芯片晶圆键合之前，会在窗口晶圆划片道的底面设置第一保护层。在划片时，会从窗口晶圆背向芯片晶圆一侧表面沿划片道进行划片，以至暴露第一保护层，此时在划片时，由于第一保护层的存在，可以防止划片时产生的废渣飞溅至芯片晶圆对芯片晶圆表面结构造成破坏；之后再去除保护层，即可暴露性能测试区，并通过该性能测试区对芯片晶圆中的芯片进行测试。
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公开(公告)号：CN110534446A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910849806.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆级封装测试的方法，会先在窗口晶圆朝向芯片一侧表面设置划片道，并在将窗口晶圆与芯片晶圆键合之前，会在窗口晶圆划片道的底面设置第一保护层。在划片时，会从窗口晶圆背向芯片晶圆一侧表面沿划片道进行划片，以至暴露第一保护层，此时在划片时，由于第一保护层的存在，可以防止划片时产生的废渣飞溅至芯片晶圆对芯片晶圆表面结构造成破坏；之后再去除保护层，即可暴露性能测试区，并通过该性能测试区对芯片晶圆中的芯片进行测试。
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公开(公告)号：CN110092344A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910405920.4
申请日：2019-05-16
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS释放架，包括释放托盘及释放盖板；所述释放托盘包括安置区域，所述安置区域用于放置待释放MEMS组件；所述释放盖板的表面均匀分布有多个通孔；所述释放盖板通过支撑件设置在所述释放托盘上方，与所述释放托盘形成腔体，且所述腔体具有等离子体扩散通道。本申请在现有技术中的释放托盘上增设带孔的释放盖板，避免了等离子体直接冲击所述待释放MEMS组件，保护了晶圆的完整性；同时，所述释放盖板上均匀分布通孔，使所述等离子体尽可能均匀地与所述待释放MEMS组件接触，最终提高了成品的良率，此外，本申请改动小，成本低，易于大规模使用。本申请还提供了一种具有上述有益效果的释放机台及MEMS组件释放的方法。
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公开(公告)号：CN109824008A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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