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公开(公告)号：CN107117831A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710386655.0
申请日：2017-05-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , D06M11/48 , C01G41/02 , B82Y40/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/L Na2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN101662019A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910114387.2
申请日：2009-09-11
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶-凝胶法制备锂离子电池正极材料LiVPO 4 F。向五氧化二钒粉末中加入H 2 O 2 (体积比为15％)，搅拌反应4h形成棕红色溶液，然后向棕红色溶液中加入具有还原性的螯合剂、锂盐、磷酸盐和氟盐，搅拌混合均匀后，在100℃烘箱中干燥4小时即得前驱体；将得到的前驱体在惰性气体的保护下于400℃-550℃烧结4-7h，冷却后即为成品LiVPO 4 F。本发明简化了合成工艺，降低了合成成本，降低了合成温度，操作方法简单方便、易于控制，提高了样品的充放电性能和循环性能。
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公开(公告)号：CN118390096A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410364803.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供一种高性能Co‑N‑C析氧催化剂及其制备方法，属于析氧电催化技术领域，由Co‑Nx活性中心部分和氮掺杂碳共同负载于碳材料上组成的催化剂。该方法为：将γ‑环糊精(环状寡醣家族)和钴盐在液相中混合，使用溶液法获得Co@MOF。随后，将Co@MOF与氮源(双氰胺)混合，置于保护气氛中，经高温加热后得到Co‑N‑C催化剂。此制备方法简单、成本低、易于工业化生产；所制备的Co‑N‑C电催化剂可用于再生能源应用，例如电催化水分解。Co‑N‑C电催化剂具有析氧反应活性高的特点，析氧过电位高于商用IrO2催化剂，具有更好的综合性能，显示出良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118345426A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410364805.8
申请日：2024-03-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种金属掺杂氮碳纳米纤维催化剂及其制备方法。该催化材料通过对前驱体溶液进行静电纺丝，过渡金属基材料的前驱体溶液形成多个相互连接的纳米纤维，同时纳米纤维经热处理转化为催化活性材料。本发明制备金属掺杂氮碳纳米纤维催化剂在选定的后续处理中可以提高电催化分解水的活性。
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公开(公告)号：CN111514912B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010380225.X
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/075
Abstract: 本发明提供了一种三维Co掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基质材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化钴混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到Co掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基质材料上的钴掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为钴掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Co掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得的三维Co掺杂WP2纳米片阵列电极材料具有较大暴露的比表面积，较高的电催化析氢活性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113151858A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110344123.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂，以次亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112844349A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911191738.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法，将Ti片进行激光刻蚀，使得Ti片表面刻蚀和氧化同步进行，即可得到TiOx光阳极。本发明利用激光刻蚀Ti片制备TiOx光阳极的方法采用激光刻蚀Ti片直接制备TiOx材料，可以根据改变参数控制TiOx的氧缺陷含量，得到光电催化性能较好的光阳极材料，该制备方法简单、成本低、产率高、反应条件容易控制。
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公开(公告)号：CN112844348A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911191500.7
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种具有微纳米结构的TiO2纳米管阵列光阳极的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备不定型TiOx纳米管阵列；(2)将不定型TiOx纳米管阵列在激光辐照下进行激光刻蚀，得到具有微纳米结构和氧缺陷的TiOx纳米管阵列；(3)将具有微纳米结构和氧缺陷的TiOx纳米管阵列进行退火处理，即得到具有微纳米结构的TiO2纳米管阵列光阳极。本发明方法利用激光刻蚀的方法将TiO2纳米管表面进行处理，增大了TiO2纳米管的有效面积及表面活性位点，且处理后的TiO2纳米管阵列亲水性明显提高，从而减小载流子复合率，增大了光电催化效率。
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公开(公告)号：CN111514912A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010380225.X
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种三维Co掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基质材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化钴混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100‑220℃的条件下进行溶剂热反应6‑12h，再在马弗炉中烧结得到Co掺杂WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠为磷源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基质材料上的钴掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为钴掺杂二磷化钨纳米片阵列，得到Co掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得的三维Co掺杂WP2纳米片阵列电极材料具有较大暴露的比表面积，较高的电催化析氢活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111495399A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010380228.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明提供了一种S掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸和六氯化钨混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中，在100-220℃的条件下进行溶剂热反应6-12h，再在马弗炉中烧结得到WO3纳米片阵列；(2)以次亚磷酸钠和硫粉作为磷源和掺杂硫源，在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法，在氩气环境下，将导电基底材料上的三氧化钨纳米片阵列磷化还原为二磷化钨纳米片阵列，并在此过程中将硫掺杂到二磷化钨纳米片中，得到S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料。本发明方法制得到的S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
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