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公开(公告)号：CN113437461A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010798584.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
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公开(公告)号：CN100479195C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510119434.4
申请日：2005-11-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H9/173 , B81B3/0018 , G02B26/0858 , H01G5/18 , H01H2057/006 , H01L27/20 , H01L41/094 , H01L41/0946 , H01L41/0973 , H03H9/0542 , H03H9/587 , H03H2003/027 , H03H2009/241
Abstract: 提供一种具有执行器的半导体装置，其中具有半导体基板；在上述半导体基板的上方设置空间进行配置，具有下部电极及上部电极和夹在这些下部电极及上部电极之间的压电体层，在上述下部电极、上述上部电极及上述压电体层之中至少上述压电体层的整个表面大致是平坦的执行器。
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公开(公告)号：CN1893137A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094135.4
申请日：2006-06-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 大黑达也
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0021 , B81B2201/014 , H01G5/18 , H01L27/20 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L2224/48091 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；提供在半导体衬底上方以便向上地移动的致动器；由致动器移动的第一电极层；和提供在第一电极层上方并包括第二电极层的盖部分。
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公开(公告)号：CN1866529A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084418.0
申请日：2006-05-18
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 大黑达也
IPC: H01L27/12 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体晶片，它包括半导体本体；形成在半导体本体上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二绝缘层；以及形成在第二绝缘层上的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN103017795B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103017795A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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公开(公告)号：CN1848472A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610073884.9
申请日：2006-04-06
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 大黑达也
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2057/006
Abstract: 根据本发明一个实施例的采用MEMS技术的半导体器件包含：空腔；提供在空腔下部的下电极；提供在空腔上部或内部的致动器；连接到致动器的上电极；以及经由其底部表面被提供在空腔中下电极上部表面上方的接触孔而在空腔外与下电极相接触的导电层。
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公开(公告)号：CN1790751A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510119434.4
申请日：2005-11-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H9/173 , B81B3/0018 , G02B26/0858 , H01G5/18 , H01H2057/006 , H01L27/20 , H01L41/094 , H01L41/0946 , H01L41/0973 , H03H9/0542 , H03H9/587 , H03H2003/027 , H03H2009/241
Abstract: 提供一种具有执行器的半导体装置，其中具有半导体基板；在上述半导体基板的上方设置空间进行配置，具有下部电极及上部电极和夹在这些下部电极及上部电极之间的压电体层，在上述下部电极、上述上部电极及上述压电体层之中至少上述压电体层的整个表面大致是平坦的执行器。
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公开(公告)号：CN1707793A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510078021.6
申请日：2005-06-10
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 大黑达也
CPC classification number: H01L25/16 , H01F2017/008 , H01L21/6835 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2224/29198 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06527 , H01L2225/06572 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01051 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体器件，包括：具有电感线圈的第1芯片，和所述第1芯片重叠、具有导电层的第2芯片，以及设置于所述第1及第2芯片之间的磁屏蔽层。
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公开(公告)号：CN1893137B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610094135.4
申请日：2006-06-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 大黑达也
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0021 , B81B2201/014 , H01G5/18 , H01L27/20 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L2224/48091 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；提供在半导体衬底上方以便向上地移动的致动器；由致动器移动的第一电极层；和提供在第一电极层上方并包括第二电极层的盖部分。
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