公开(公告)号：CN103017795B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210225044.5

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福泽英明 ,  大黑达也 ,  小岛章弘 ,  杉崎吉昭 ,  高柳万里子 ,  藤庆彦 ,  堀昭男 ,  原通子

IPC: G01D5/12 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0771 ,  G01L9/0042 ,  H04R1/08 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。

公开(公告)号：CN103017795A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210225044.5

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福泽英明 ,  大黑达也 ,  小岛章弘 ,  杉崎吉昭 ,  高柳万里子 ,  藤庆彦 ,  堀昭男 ,  原通子

IPC: G01D5/12 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0771 ,  G01L9/0042 ,  H04R1/08 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。

公开(公告)号：CN101276878A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810088314.6

申请日：2008-03-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  TDK株式会社

Inventor： 藤庆彦 ,  福泽英明 ,  汤浅裕美 ,  张坤亮 ,  李民 ,  原通子 ,  黑崎义成

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11B5/3906 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/39 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/943

Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述绝缘层的厚度方向上通过电流的导体的电流限制层，并位于所述固定磁化层和所述自由磁化层之间；薄膜层，相对于所述自由磁化层位于所述分隔层的相对侧；及功能层，含有从Si、Mg、B、Al组成的组中选择的至少一种元素，并形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中至少一个层之中或之上。