公开(公告)号：CN114301289A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111001159.1

申请日：2021-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林祐辅 ,  吉田训 ,  高尾和人

IPC: H02M3/158 ,  H02M3/335 ,  H02M1/32 ,  H02M1/44 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明的一个方式涉及电气设备以及电力变换装置。提供不妨碍小型化就能够抑制浪涌、阻尼振荡的电气设备以及电力变换装置。电气设备具备初级侧环形电路，具有以环形状使电流流过的主电路；以及次级侧环形电路，与所述初级侧环形电路对置地隔开预定的距离而配置，使基于在所述初级侧环形电路中产生的磁场的感应电流以环形状流过。

公开(公告)号：CN113345961A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010950518.7

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井口智明 ,  雁木比吕 ,  小林勇介 ,  蔵口雅彦 ,  高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  西脇达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。

公开(公告)号：CN104681554B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201410397526.8

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高尾和人 ,  四户孝

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0635 ,  H01L23/552 ,  H01L23/642 ,  H01L25/072 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种降低寄生电感的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备：基板；多个电路单元，排列配置在基板上方，各电路单元具有第一电极、第二电极、在第一电极及第二电极间串联地电连接的第一开关元件和第二开关元件、在第一电极及第二电极间与第一开关元件和第二开关元件并联地电连接的电容器、以及连接在第一开关元件与第二开关元件之间的交流电极；第一端子，连接在各电路单元的上述第一电极与上述第一开关元件之间；第二端子，连接在各电路单元的上述交流电极与上述第二开关元件之间；以及将多个电路单元包围的壳体；各电路单元的第一电极被赋予共通的电位，各电路单元的第二电极被赋予共通的电位，各电路单元的交流电极相互连接。

公开(公告)号：CN104425616B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201410427850.X

申请日：2014-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 饭岛良介 ,  高尾和人 ,  太田千春 ,  清水达雄 ,  四户孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/049 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第一电极、第一绝缘部和第二绝缘部。该第一半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并且包括第一部分和第二部分。该第二半导体区包括碳化硅，它是第二导电类型，并设于所述第二部分上。所述第三半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并被设置在所述第二半导体区上。所述第一电极设置在所述第一部分和所述第三半导体区上。所述第一绝缘部设置在第三半导体区上，并与所述第一电极并列。该第二绝缘部设置在所述第一电极与所述第一部分之间以及所述第一电极和所述第一绝缘部之间。

公开(公告)号：CN103681637B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201310077451.0

申请日：2013-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高尾和人 ,  河野洋志 ,  菊地拓雄

IPC: H02M7/00

CPC classification number: G05F3/20 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：基板；第一电路部；和第二电路部。所述第一电路部包括：第一和第二开关元件，及第一和第二二极管。第二电路部包括第三和第四开关元件，及第三和第四二极管。第一开关元件与第二开关元件在第一方向上并置，并与第四开关元件在第二方向上并置。第三开关元件与第四开关元件在第一方向上并置，与第二开关元件在第二方向上并置。电压施加到第一和第三开关元件的电极，与第一电压相反极性的电压施加到第二和第四开关元件的电极。

公开(公告)号：CN104916691A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410379832.9

申请日：2014-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河野洋志 ,  高尾和人

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0733 ,  H01L28/60 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7803

Abstract: 一种半导体装置，抑制成本上升，抑制误动作的产生，且可靠性高。其具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设置于上述第一电极与上述第二电极之间；第二导电型的第二半导体区域，设置于上述第一半导体区域与上述第二电极之间；第一导电型的第三半导体区域，设置于上述第二半导体区域与上述第二电极之间，该第三半导体区域的杂质浓度高于上述第一半导体区域的杂质浓度；第三电极，经由第一绝缘膜与上述第三半导体区域、上述第二半导体区域以及上述第一半导体区域接连；以及电容元件部，具有：与上述第二电极电连接的第四电极；与上述第三电极电连接的第五电极；以及设置于上述第四电极与上述第五电极之间的第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN104465654A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410428118.4

申请日：2014-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 太田千春 ,  高尾和人 ,  西尾让司 ,  四户孝

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/36 ,  H01L29/861

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包含第一半导体区域、第二半导体区域、以及第三半导体区域。所述第一半导体区域包含碳化硅。所述第一半导体区域的导电类型是第一导电类型。所述第二半导体区域包含碳化硅。所述第二半导体区域的导电类型是第二导电类型。所述第三半导体区域包含碳化硅。所述第三半导体的导电类型是所述第二导电类型。所述第三半导体区域提供于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。当在连接所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的方向上看时，所述第二半导体区域与所述第三半导体区域的交叠区域的面积小于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域的交叠区域的面积。

公开(公告)号：CN113345961B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202010950518.7

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井口智明 ,  雁木比吕 ,  小林勇介 ,  蔵口雅彦 ,  高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  西脇达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。

公开(公告)号：CN114301289B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202111001159.1

申请日：2021-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林祐辅 ,  吉田训 ,  高尾和人

IPC: H02M3/158 ,  H02M3/335 ,  H02M1/32 ,  H02M1/44 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明的一个方式涉及电气设备以及电力变换装置。提供不妨碍小型化就能够抑制浪涌、阻尼振荡的电气设备以及电力变换装置。电气设备具备初级侧环形电路，具有以环形状使电流流过的主电路；以及次级侧环形电路，与所述初级侧环形电路对置地隔开预定的距离而配置，使基于在所述初级侧环形电路中产生的磁场的感应电流以环形状流过。

公开(公告)号：CN111416607B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201911178018.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 坂野竜则 ,  高尾和人

IPC: H03K17/567

Abstract: 提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置以及电路装置。根据实施方式，控制电路与包括第1元件的元件部连接，该第1元件包括第1栅极、第1集电极以及第1发射极。所述控制电路实施第1动作以及第2动作。在所述第1动作的至少一部分中，所述控制电路使第1电流从所述第1集电极向所述第1发射极流动。在所述第2动作的至少一部分中，所述控制电路使第2电流从所述第1发射极向所述第1集电极流动。所述第1动作中的所述第1元件的开关的第1时间常数与所述第2动作中的所述第1元件的开关的第2时间常数不同。