公开(公告)号：CN102498238A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041044.9

申请日：2010-09-13

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 中子伟夫 ,  山本和德 ,  神代恭 ,  横泽舜哉 ,  增田克之 ,  江尻芳则 ,  稻田麻希 ,  黑田杏子

IPC: C23C20/02 ,  B22F1/02 ,  H01B1/20 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H05K1/09

CPC classification number: B22F9/26 ,  B22F1/02 ,  B22F9/22 ,  B22F9/24 ,  B22F2201/01 ,  B22F2301/10 ,  B22F2302/25 ,  B22F2999/00 ,  B32B15/01 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  H01B1/026 ,  H05K1/097 ,  H05K3/105 ,  H05K3/1283 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/12903 ,  B22F2201/013 ,  B22F2202/13

Abstract: 本发明提供基板粘附性、低体积电阻率、深部金属性优良的金属铜膜、及能够在不损伤基板的情况下还原至深部来制造该金属铜膜的金属铜膜的制造方法。该金属铜膜的特征在于，其是通过将铜系粒子堆积层用加热到120℃以上的气体状的甲酸和/或甲醛进行处理而形成的，所述铜系粒子堆积层同时含有铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物。作为所述铜氧化物，优选为氧化亚铜和/或氧化铜；作为所述过渡金属、合金、或金属配合物，分别优选为选自由Cu、Pd、Pt、Ni、Ag、Au及Rh组成的组中的金属、或包含该金属的合金、或包含该金属元素的配合物。

公开(公告)号：CN101836268A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880112547.3

申请日：2008-10-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 中子伟夫 ,  山本和德 ,  町井洋一 ,  神代恭 ,  横泽舜哉 ,  江尻芳则 ,  增田克之

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H05K3/10

CPC classification number: H05K3/102 ,  H01B1/026 ,  H01B1/22 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49866 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/105 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  Y10T428/12181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种低电阻的铜配线图案形成方法以及用于其中的氧化铜粒子分散液，其在几乎不使用铜粒子的耐氧化、分散所必须的表面处理剂的情况下，使用电迁移少、材料自身的单价便宜的铜粒子，能够抑制断裂发生。该铜配线图案形成方法的特征在于，其包含下述工序：使用分散有铜系粒子的分散液在基板上形成任意图案的工序，所述铜系粒子具有氧化铜表面；以及利用原子状氢将所述图案中的铜系粒子表面的氧化铜还原成铜，并使还原而生成的铜金属粒子彼此烧结在一起的工序。

公开(公告)号：CN1551315A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410062123.4

申请日：1997-10-08

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 山本和德 ,  岛田靖 ,  神代恭 ,  稻田祯一 ,  栗谷弘之 ,  金田爱三 ,  富山健男 ,  野村好弘 ,  细川羊一 ,  桐原博 ,  景山晃

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  C09J7/00 ,  C09J163/00

CPC classification number: H01L23/49827 ,  C09J163/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明以提高半导体装置装配后的耐温度循环性，同时提高耐吸湿回流性为目的，提供一种粘合剂、使用该粘合剂的双面粘合膜和半导体装置，所说的粘合剂是在把半导体芯片装载到有机系支持基板上时使用的粘合剂，其用动态粘弹性测定装置测定的25℃的储存弹性模量为10～2000MPa且在260℃时的储存弹性模量为3～50MPa。