公开(公告)号：CN102597587A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050629.7

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社富士金 ,  东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 池田信一 ,  山路道雄 ,  谷川毅 ,  金子裕是 ,  八木靖司 ,  小野裕司 ,  大见忠弘 ,  白井泰雪

IPC: F16K31/126 ,  F16K1/34 ,  F16K51/02

CPC classification number: F16K31/126 ,  F16K1/34 ,  F16K25/005 ,  Y10T137/776

Abstract: 本发明提供一种提高阀的开关精度的调整阀装置。调整阀装置（300）包括：具有阀体头部（310a）的阀体（310）；向阀体传递动力的动力传递部件（320a）；以能够滑动的方式内置阀体的阀箱（305）；第一波纹管（320b），相对于动力传递部件在与阀体相反一侧的位置形成第一空间（Us）；第二波纹管（320c），相对于动力传递部件在阀体一侧的位置形成第二空间（Ls）；与第一空间连通的第一配管（320d）；和与第二空间连通的第二配管（320e）。根据从供给第一空间和供给第二空间的工作流体的压力比率，从动力传递部件向阀体传递动力，由此，通过阀体头部开关形成于阀箱中的搬送路径。阀体头部的维氏硬度比阀体头部所接触的搬送路径的阀座面的维氏硬度硬，其硬度差大概是200～300Hv。

公开(公告)号：CN102498231A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080033945.3

申请日：2010-07-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/02 ,  H05K3/14

CPC classification number: H05K3/16 ,  C23C14/022 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H05K3/381 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1572

Abstract: 本发明的课题在于提供在布线基板的制造中采用溅射工艺，并且可以提高生产率以及降低运行成本的布线基板等离子体处理装置。本发明的布线基板等离子体处理装置在同一等离子体处理室内具备：表面处理部，其具备等离子体源，进行被处理基板的预处理；和多个溅射成膜部，其形成由多层膜形成的籽晶层。

公开(公告)号：CN102414832A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018562.9

申请日：2010-04-12

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  绵贯耕平 ,  田中宏治

IPC: H01L31/04 ,  H01J29/86

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 发现透明导电性层中的氧化锌层具有防止钠扩散的作用，可获得将该氧化锌层利用为电子装置的电极且作为防止钠从玻璃基板扩散的扩散防止层而利用的电子装置。

公开(公告)号：CN101238555B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680022317.9

申请日：2006-06-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种低介电常数且不会产生CFx、SiF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上的第1碳氟膜和形成在所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。

公开(公告)号：CN102239566A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148633.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/052 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及光电转换元件及太阳能电池，具备由非晶质硅形成的nip结构，利用使n+型a-Si层接触由n+型ZnO层形成的透明电极的结构，提高能量转换效率。由此，能够将对地球资源的影响抑制在最小限，能够实现大面积、大功率的光电转换元件及太阳能电池。

公开(公告)号：CN101563782B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200780047515.5

申请日：2007-12-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本瑞翁株式会社 ,  宇部日东化成株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  杉谷耕一 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78639

Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm-x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。

公开(公告)号：CN102084023A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980123383.9

申请日：2009-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  关伸彰 ,  川上聪 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3423

Abstract: 在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。

公开(公告)号：CN102027582A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980116946.1

申请日：2009-04-17

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  田中宏明 ,  矶贝达典

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575

Abstract: 包括：向应为半导体装置的p型或n型接触区域的Si层部分离子注入p型或n型的杂质的工序；和离子注入工序后，不进行使注入的离子活性化的热处理，在所述接触区域表面形成接触用的金属膜的工序；和通过加热使所述金属膜的金属与所述Si层部分反应，形成所述金属的硅化物的工序。另外，最好同时进行形成所述硅化物的工序和通过所述金属膜形成后的热处理使所述注入的离子活性化的工序。

公开(公告)号：CN102007578A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113209.6

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  长谷部类 ,  宫下雅之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  Y10S438/906

Abstract: 在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。

公开(公告)号：CN101802967A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106539.8

申请日：2008-09-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也

IPC: H01J61/06 ,  H01J9/02 ,  H01J61/70

CPC classification number: H01J61/0675 ,  H01J9/022 ,  H01J61/72

Abstract: 本发明的课题是提供具有高亮度、高效率且长寿命的阴极体。在由含有氧化镧的热传导率高的金属合金形成的圆筒状杯体上，采用能够以低电子温度进行溅射的磁控溅射装置，形成LaB6膜，由此来制造本发明的阴极体。