公开(公告)号：CN101681817A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017388.9

申请日：2008-05-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/02 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。

公开(公告)号：CN102414832A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018562.9

申请日：2010-04-12

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  绵贯耕平 ,  田中宏治

IPC: H01L31/04 ,  H01J29/86

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 发现透明导电性层中的氧化锌层具有防止钠扩散的作用，可获得将该氧化锌层利用为电子装置的电极且作为防止钠从玻璃基板扩散的扩散防止层而利用的电子装置。

公开(公告)号：CN101681817B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880017388.9

申请日：2008-05-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/02 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。

公开(公告)号：CN102575341A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045493.0

申请日：2010-10-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01L21/365 ,  H01L33/42

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明的课题为稳定地形成N掺杂的ZnO系化合物薄膜。在本发明中，通过将含氧和氮的气体以及氮气与有机金属系材料气体一起供给至由微波激发的低电子温度高密度等离子体中，在作为成膜对象物的基板上形成N掺杂的ZnO系化合物薄膜。